SK Hynix 於 2025 年舉辦的 SK AI 峰會上，正式公布其未來數年的 DRAM 與 NAND 發展路線 (Roadmap)，內容涵蓋 HBM、標準 DRAM、以及針對 AI 市場設計的多項延伸產品。根據規劃，新一代 DDR6 記憶體預計最快將於 2029 至 2031 年間問世，同期還將推出 GDDR7-Next 顯示記憶體與 PCIe 7.0 SSD。
在 2026 至 2028 年階段，SK Hynix 將推出多層堆疊的 HBM4 系列，包括 8、12、16 層版本，以及專為 AI 客戶打造的客製化 HBM4E。針對傳統 DRAM 市場，則計畫導入 LPDDR6 行動記憶體；而面向 AI 與高效能運算的產品線，將延伸出 LPDDR5X SoCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R、以及第二代 CXL LPDDR6-PIM 等新規格。
NAND 儲存部分，SK Hynix 預告將推出容量高達 245TB 的 PCIe 5.0 SSD（採用 QLC），並陸續導入企業級與消費級的 PCIe 6.0 SSD，以及行動裝置用的 UFS 5.0 儲存方案。同時也會針對 AI 市場開發高密度專用 NAND 產品。
2029 至 2031 年，將邁入 HBM5 與 HBM5E 時代，並推出多種整合版本。新設計將控制器與協定 IP 整合至晶片內部，以降低 GPU 或 ASIC 晶片的面積占用與介面功耗。
DRAM 方面，出現了名為 GDDR7-Next 的顯示記憶體，並非全新世代 GDDR8，而是對現有 GDDR7 的升級版。目前 GDDR7 速度約為 30～32Gbps，標準上限則可達 48Gbps，仍有提升空間。這意味著顯示卡廠商預計將在相當長一段時間內延續 GDDR7 技術。同時，DDR6 與 3D DRAM 也預定在這個階段問世，代表 PC 與伺服器平台將於 2029 年後逐步從 DDR5 過渡至 DDR6。
在 NAND 部分，SK Hynix 計畫推出支援 PCIe 7.0 介面的 SSD（企業級與消費級），以及 UFS 6.0 行動儲存，並導入超過 400 層堆疊的 4D NAND 技術。此外，針對 AI 應用的高效能、高頻寬儲存方案（AI-N）也在開發之列。
在 2026 至 2028 年階段，SK Hynix 將推出多層堆疊的 HBM4 系列，包括 8、12、16 層版本，以及專為 AI 客戶打造的客製化 HBM4E。針對傳統 DRAM 市場，則計畫導入 LPDDR6 行動記憶體；而面向 AI 與高效能運算的產品線，將延伸出 LPDDR5X SoCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R、以及第二代 CXL LPDDR6-PIM 等新規格。
NAND 儲存部分，SK Hynix 預告將推出容量高達 245TB 的 PCIe 5.0 SSD（採用 QLC），並陸續導入企業級與消費級的 PCIe 6.0 SSD，以及行動裝置用的 UFS 5.0 儲存方案。同時也會針對 AI 市場開發高密度專用 NAND 產品。
2029 至 2031 年，將邁入 HBM5 與 HBM5E 時代，並推出多種整合版本。新設計將控制器與協定 IP 整合至晶片內部，以降低 GPU 或 ASIC 晶片的面積占用與介面功耗。
DRAM 方面，出現了名為 GDDR7-Next 的顯示記憶體，並非全新世代 GDDR8，而是對現有 GDDR7 的升級版。目前 GDDR7 速度約為 30～32Gbps，標準上限則可達 48Gbps，仍有提升空間。這意味著顯示卡廠商預計將在相當長一段時間內延續 GDDR7 技術。同時，DDR6 與 3D DRAM 也預定在這個階段問世，代表 PC 與伺服器平台將於 2029 年後逐步從 DDR5 過渡至 DDR6。
在 NAND 部分，SK Hynix 計畫推出支援 PCIe 7.0 介面的 SSD（企業級與消費級），以及 UFS 6.0 行動儲存，並導入超過 400 層堆疊的 4D NAND 技術。此外，針對 AI 應用的高效能、高頻寬儲存方案（AI-N）也在開發之列。
