西方制裁鎖死了極紫外光（EUV）微影設備的出口，迫使中國加快半導體本土供應鏈的替代腳步。最近中國官方背景的上海愛旭納電子科技集團（與上微 SMEE 及上海電氣集團緊密相關）成功打造出國產深紫外光（DUV）浸潤式微影機，隨即在各大媒體掀起熱潮。
然而，這項被譽為突破性的中國產裝備，真的能直接威脅到全球微影機巨頭 ASML 的地位嗎？
根據外媒路透社的消息指出，中國這台國產 DUV 浸潤式微影機目前仍處於相當早期的階段，短期內根本無法對艾司摩爾（ASML）構成實質的競爭威脅。
在半導體微影設備領域，ASML 不僅在頂尖的 EUV 市場擁有絕對壟斷地位，就連在技術相對成熟、目前不受限制出口的 DUV 市場中，其掌控力同樣幾乎無人能敵。DUV 機台利用較長波長的雷射與透鏡來印刷晶片電路，相較於需要在極端真空環境下運作的 EUV，技術門檻雖然稍低，但要做到高良率、高產能與長時間穩定運作，依賴的是數十年累積的精密光學與工藝經驗。
中國雖然聲稱將目標放在 2030 年量產 EUV 機台，並由華為等巨頭領軍研發，但眼前這台剛問世的 DUV 機台，顯然還需要經過漫長且嚴苛的廠內測試與良率驗證。
一般而言，DUV 微影機主要用於製造 7 奈米及以上成熟/半先進製程的晶片。雖然過去曾有廠商透過多重曝光（Multi-patterning）技術，硬是用 DUV 刻出更先進的節點，但這種做法存在極大的物理限制。
多重曝光不僅會大幅增加晶片缺陷率、降低晶圓良率（Yield），更會嚴重拖累機台的晶圓產出效率（Throughput），導致每片晶圓的生產成本呈幾何級數上升。如果中國國產 DUV 的光學精度與穩定度無法追上 ASML，硬拿來做高密度晶片，光是廢片率就足以讓晶圓廠賠到吐血。
最諷刺的還是數據。儘管中國媒體大肆宣傳國產微影機的重大突破，但中國晶圓廠對 ASML 的依賴度依然高得驚人。
根據 ASML 官方公布的 2026 年上半年財報數據顯示，中國市場貢獻了 ASML 高達 16% 的營收，消費金額高達 26 億歐元，一舉成為繼台灣與韓國之後的 ASML 全球第三大市場。
只能說，中自研機台發布新聞稿雖然震撼相關股價，但在商業營運與晶圓代工的殘酷現實面前，中國晶圓廠還是得乖乖排隊掏出幾十億歐元購買 ASML 的設備。距離真正的「國產替代」，這條路恐怕還長得很。
然而，這項被譽為突破性的中國產裝備，真的能直接威脅到全球微影機巨頭 ASML 的地位嗎？
根據外媒路透社的消息指出，中國這台國產 DUV 浸潤式微影機目前仍處於相當早期的階段，短期內根本無法對艾司摩爾（ASML）構成實質的競爭威脅。
在半導體微影設備領域，ASML 不僅在頂尖的 EUV 市場擁有絕對壟斷地位，就連在技術相對成熟、目前不受限制出口的 DUV 市場中，其掌控力同樣幾乎無人能敵。DUV 機台利用較長波長的雷射與透鏡來印刷晶片電路，相較於需要在極端真空環境下運作的 EUV，技術門檻雖然稍低，但要做到高良率、高產能與長時間穩定運作，依賴的是數十年累積的精密光學與工藝經驗。
中國雖然聲稱將目標放在 2030 年量產 EUV 機台，並由華為等巨頭領軍研發，但眼前這台剛問世的 DUV 機台，顯然還需要經過漫長且嚴苛的廠內測試與良率驗證。
一般而言，DUV 微影機主要用於製造 7 奈米及以上成熟/半先進製程的晶片。雖然過去曾有廠商透過多重曝光（Multi-patterning）技術，硬是用 DUV 刻出更先進的節點，但這種做法存在極大的物理限制。
多重曝光不僅會大幅增加晶片缺陷率、降低晶圓良率（Yield），更會嚴重拖累機台的晶圓產出效率（Throughput），導致每片晶圓的生產成本呈幾何級數上升。如果中國國產 DUV 的光學精度與穩定度無法追上 ASML，硬拿來做高密度晶片，光是廢片率就足以讓晶圓廠賠到吐血。
最諷刺的還是數據。儘管中國媒體大肆宣傳國產微影機的重大突破，但中國晶圓廠對 ASML 的依賴度依然高得驚人。
根據 ASML 官方公布的 2026 年上半年財報數據顯示，中國市場貢獻了 ASML 高達 16% 的營收，消費金額高達 26 億歐元，一舉成為繼台灣與韓國之後的 ASML 全球第三大市場。
只能說，中自研機台發布新聞稿雖然震撼相關股價，但在商業營運與晶圓代工的殘酷現實面前，中國晶圓廠還是得乖乖排隊掏出幾十億歐元購買 ASML 的設備。距離真正的「國產替代」，這條路恐怕還長得很。