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全球二十大半導體廠商之一的韓國SK海力士日前宣佈，目前已經完成8Gb LPDDR3低功耗記憶體晶片的研發，已經將樣品提供給合作夥伴，預計將於年底量產。這是業界內LPDDR3記憶體首次達到8Gb容量，未來為高端智慧手機帶來更強悍的性能表現。
此前三星曾宣佈開始生產4Gb LPDDR3記憶體，採用20nm工藝制程打造，宣稱可媲美PC中使用的標準型記憶體的性能水準。此次SK海力士的8Gb LPDDR3同樣使用20nm工藝，並將容量翻了一倍，而且相比之下封裝厚度進一步降低，同一封裝下可堆疊四顆晶片（容量可達到32Gb，即4GB容量）。
速度上，晶片每根引腳的傳速速率可達2133Mbps，並擁有32bit的I/O匯流排，單通道頻寬可達8.5GB/s、雙通道17GB/s，性能是此前移動記憶體標準LPDDR2 800Mbps的2倍以上。此外，和30nm的LPDDR3相比，性能提升30%，功耗降低20%。
此外，新的8Gb LPDDR3將提供多種封裝格式，可使用PoP、eMMC等目前移動設備常用的規格。
LPDDR3是目前最快移動記憶體晶片，主要應用與高端智慧手機上（比如Galaxy S4），此次SK海力士推出的8Gb LPDDR3有望將未來智慧手機的記憶體容量提升到4GB。
資料來源~
此前三星曾宣佈開始生產4Gb LPDDR3記憶體，採用20nm工藝制程打造，宣稱可媲美PC中使用的標準型記憶體的性能水準。此次SK海力士的8Gb LPDDR3同樣使用20nm工藝，並將容量翻了一倍，而且相比之下封裝厚度進一步降低，同一封裝下可堆疊四顆晶片（容量可達到32Gb，即4GB容量）。
速度上，晶片每根引腳的傳速速率可達2133Mbps，並擁有32bit的I/O匯流排，單通道頻寬可達8.5GB/s、雙通道17GB/s，性能是此前移動記憶體標準LPDDR2 800Mbps的2倍以上。此外，和30nm的LPDDR3相比，性能提升30%，功耗降低20%。
此外，新的8Gb LPDDR3將提供多種封裝格式，可使用PoP、eMMC等目前移動設備常用的規格。
LPDDR3是目前最快移動記憶體晶片，主要應用與高端智慧手機上（比如Galaxy S4），此次SK海力士推出的8Gb LPDDR3有望將未來智慧手機的記憶體容量提升到4GB。
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