狼大一出手....便知有沒有...Originally posted by LSI狼@May 3 2005, 02:13 AM
兩顆都屬於無PFC設計,115V段使用倍壓整流,會使整流效率較差,所以需要加大電容容量。電路設計也相當傳統,TOPOWER只是將零件容量加大,並未改善電路設計,這在高瓦數輸出時會導致輸出特性不佳,CWT後級電路使用磁放大技術進行輸出調節,可以保持各路輸出擁有較佳負載調整率,雖不若使用MOSFET等開關晶體或是閘流體進行同步整流以及調整的轉換效率來的好(高階電源多採用之),但可以在最低成本中有特性相近的表現,且結構簡單。
TOPOWER對開關晶體採用隔離變壓器控制,CWT使用光耦合元件,為較有效率的控制方式。
在下認為兩顆中認為CWT較為優良(若不考慮富○○ :sh: 電容下)。
過保了Originally posted by windwithme+May 3 2005, 05:20 PM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (windwithme @ May 3 2005, 05:20 PM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-linczs2000@May 3 2005, 12:10 PM
風大的僑威該送修了
小FUHJYYU爆了
