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首先記憶體控制器會確定欲處理資料的"Row位址",定址"Row位址"所花費的時間稱為"tRCD"
接下來定址Column位址所花費的時間稱為"tCL"
在等待tRAS和tRP之後即完成一個位址的資料儲存,然後重複以上過程就可以完成資料的存取
因此 7-7-7-20(tCL-tRCD-tRP-tRAS) 與 7-8-7-20(tCL-tRCD-tRP-tRAS) 的差異在 tRCD 所花費的時間
也就是一開始定址"Row位址"所花費的時間較長一點
通常一般是 tRAS = tCL + tRCD + 2,不過這只是一個參考
CAS Latency (tCL)「行位址控制器延遲時間」
從已經定址的行,到達輸出暫存器的資料所需的時脈循環數
RAS-to-CAS Delay (tRCD)「列位址至行位址延遲時間」
在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時脈循環數
RAS Precharge Time (tRP)「列位址控制器預充電時間」
對迴路作預充電所需的時脈循環數,以決定列位址
Row Active Time (tRAS)「列動態時間」
當一個記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址所造成的延遲
Burst Length「爆發長度」
這是指在一個傳輸循環中,要送出多少資料區塊
CPU 部分設定如下:
BCLK: 133, 倍頻: 21,只測試預設時脈
QPI: 4.8GT/s (BCLK*18*2) = 2400MHz
RAM: BCLK*12 1600MHz
UnCore: BCLK*24 3200MHz
Vcore: 1.248V
Vtt: 1.35V
記憶體電壓:1.65V
其餘電壓可設定auto
先試試看這樣能不能正常開機、HyperPI 32M*8
不能正常開機 。。(天灰灰)
之前也有遇過類似問題,查過其它 DEBUG LED 的解釋連DEBUG LED..也DISPLAY到..在說明找不到的POST..==
調教完後..SAVE BIOS..重開後..POST 停到 25
之後RESET後..停在3F..再RESET之是3F
一般情形下分數上應該差異不大,但是 ...講白一點就好了啦,7-7-7-20 1T & 7-8-7-20 1T 這兩個那一個時序比較好用就好了,分數哪個會比較好,這樣用會不會有問題呀!
RAM參數只有tRC不能設在37..因為BIOS最大tRC只可以是31
會否有問題?
我還有甚麼可做
不知道auto下的tRC是多少 ...tRC我SET了AUTO
另外發現一件古怪的事
第二支Thread ...很乏力的
CPU有事嗎..
