AMD新一代旗艦顯卡Radeon R9 Fury X上市也有一段時間了，不過新製程的產能往往會低一些，
這款顯卡供貨不多，往後的R9 Fury以及R9 nano也將受到影響。不過現在他們迎來了好消息，
聯華電子宣布，他們的TSV穿透矽通孔技術已經進入量產階段，將可幫助AMD度過產能的難關。
TSV 穿透矽通孔技術（或者叫矽穿孔技術）主要應用於 HBM 堆棧式記憶體與中介層連接，
讓各個Die可以穿過下層的其它Die，之後再通過 μBump 微凸塊直通中介層；
除此之外，中介層也是採用同樣的技術來連接記憶體與 CPU / GPU。
從公告來看，聯華電子所負責的就是後面說的這種中介層的量產工作，
具體是其位於新加坡的12英寸特殊技術晶圓廠 Fab 12i。
不過中介層產能提上來了，接下來 AMD 還需要解決 HBM 堆棧式記憶體的產能，
這樣大家想買 R9 nano 的時候才不會對著“無貨”兩個字乾等。
來源：http://www.expreview.com/41878.html
這款顯卡供貨不多，往後的R9 Fury以及R9 nano也將受到影響。不過現在他們迎來了好消息，
聯華電子宣布，他們的TSV穿透矽通孔技術已經進入量產階段，將可幫助AMD度過產能的難關。
TSV 穿透矽通孔技術（或者叫矽穿孔技術）主要應用於 HBM 堆棧式記憶體與中介層連接，
讓各個Die可以穿過下層的其它Die，之後再通過 μBump 微凸塊直通中介層；
除此之外，中介層也是採用同樣的技術來連接記憶體與 CPU / GPU。
從公告來看，聯華電子所負責的就是後面說的這種中介層的量產工作，
具體是其位於新加坡的12英寸特殊技術晶圓廠 Fab 12i。
不過中介層產能提上來了，接下來 AMD 還需要解決 HBM 堆棧式記憶體的產能，
這樣大家想買 R9 nano 的時候才不會對著“無貨”兩個字乾等。
來源：http://www.expreview.com/41878.html
