新訊記憶體

DDR6 進入先期研發, 預計 2028-2029 年推出

隨著 DDR5 在伺服器市場的滲透率預計於今年達到 90%,DDR4 逐漸步入歷史,三星、SK 海力士與美光等記憶體三巨頭已正式開啟 DDR6 的先期研發工作。目前儘管 JEDEC 國際標準尚未完全定案,但各大廠已開始與載板供應商展開緊密合作,試圖透過搶先設計來主導未來的規格話語權。

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技術規格與挑戰
  • 速度翻倍:DDR6 的數據傳輸速度預計將比 DDR5(目前最高約 8.4Gbps)提升兩倍以上。
  • 設計難度大增:隨著速度提升,如何維持「訊號完整性」與「電力效率」成為核心挑戰。
  • 載板深度參與:為了因應複雜的佈線、晶片厚度與堆疊結構,記憶體廠在初期設計階段就要求載板廠商共同參與開發,目前已進入製作初步樣品並進行驗證的階段。
標準化進程與市場現況 JEDEC 雖已於 2024 年底公開 DDR6 草案,但關於 I/O 數量、信號規範等細節仍在協調中。記憶體大廠積極投入,主因在於若能讓自家設計被納入標準,將能獲得性能優化與良率穩定化的先機。根據 TrendForce 數據,隨著 AI 伺服器對頻寬的需求激增,記憶體世代更迭的速度正在加快。

商用時程表即便研發已經開跑,但距離真正量產仍有一段路要走。業界預估 DDR6 的商用化時點將落在 2028 至 2029 年 之後。最終的量產速度將取決於 AI 產業及終端客戶對於超高速處理需求的明朗化程度。

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