SK Hynix日前在財報會議上宣布他們已經開始量產 20nm 製程的DRAM記憶體晶片，
今年還會量產36層堆棧的3D記憶體，明年規模量產48層堆棧。
Samsung 在2014年3月就已經開始在量產20nm記憶體晶片，其3D記憶體已經是發展到第三代，
今年8月份開始量產48層堆棧的V- NAND記憶體，單核心容量可達256Gb即32GB。
與上一代的單核心128Gb容量的產品相比，第三代3D V-NAND不僅容量翻倍，功耗也有30%下降，
而且還可以在現有生產線的基礎上進行生產，生產效率提升40% 。
有Samsung擋在前面，SK Hynix只能當第二，不過與其他公司相比也算是進度快的了，
現在SK Hynix公司也能量產20nm的DRAM晶片，該公司已經在本月中旬的財報會議上證實了此事，
他們還承認在20nm量產上遇到了困難，不過已經克服了，之前已經給客戶出樣了，現在正式量產20nm記憶體晶片。
至於3D記憶體，SK Hynix高管表示他們今年會少量生產36層堆棧，
但是該公司並不打算大規模量產，他們要在明年直接上48層堆棧的3D記憶體。
來源：http://www.expreview.com/43392.html
今年還會量產36層堆棧的3D記憶體，明年規模量產48層堆棧。
Samsung 在2014年3月就已經開始在量產20nm記憶體晶片，其3D記憶體已經是發展到第三代，
今年8月份開始量產48層堆棧的V- NAND記憶體，單核心容量可達256Gb即32GB。
與上一代的單核心128Gb容量的產品相比，第三代3D V-NAND不僅容量翻倍，功耗也有30%下降，
而且還可以在現有生產線的基礎上進行生產，生產效率提升40% 。
有Samsung擋在前面，SK Hynix只能當第二，不過與其他公司相比也算是進度快的了，
現在SK Hynix公司也能量產20nm的DRAM晶片，該公司已經在本月中旬的財報會議上證實了此事，
他們還承認在20nm量產上遇到了困難，不過已經克服了，之前已經給客戶出樣了，現在正式量產20nm記憶體晶片。
至於3D記憶體，SK Hynix高管表示他們今年會少量生產36層堆棧，
但是該公司並不打算大規模量產，他們要在明年直接上48層堆棧的3D記憶體。
來源：http://www.expreview.com/43392.html