為應對全球 AI 基礎設施投資帶動的 DRAM 需求暴增，三星電子正著手將平澤與華城園區部分 NAND Flash 生產線轉為 DRAM 生產設備，同時也計畫讓平澤 4 廠（P4）成為採用最新 1c 製程的 DRAM 專用工廠，以提升整體獲利。
半導體業界消息指出，三星近期對 NAND 市場採取較保守的評估，但認為通用型 DRAM 需求將大幅攀升，價格也有持續上漲的趨勢，因此已開始著手擴產。
隨著全球大型科技公司加速投入 AI 基礎建設，支援 CPU、GPU 高速運算的記憶體晶片出現供不應求的情形。業界估計，目前市場對 DRAM 的需求約為三星、SK 海力士與美光三家記憶體供應能力的三倍。甚至有企業願意將 96GB、128GB DDR5 等高容量伺服器 DRAM 售價提高 70% 仍難以取得足夠供貨，各大科技公司也已著手洽談 2027 年的供應合約，以因應長期短缺。
目前三星在平澤 P1、P3，以及華城皆有 DRAM 與 NAND 生產。其中 P1 與華城採混合產線，同時生產 NAND 與 DRAM。此次調整將縮減 NAND 產能，改為擴大 DRAM 生產。
正在施工中的平澤 P4 工廠將導入 10 奈米級第六代（1c）DRAM 製程，計畫明年正式投產。原本預期作為晶圓代工產線的 P4 第二區也在考慮改為 DRAM 生產。
最快於明年上半年完成設備調整後，平澤 P1 與華城的產能配置將改為以 DRAM 為主，而 P4 等新產線加入後，整體 DRAM 供應將明顯提升。至於削減的 NAND 產能，預計由中國西安工廠加大生產來補足。
一位業界人士表示：「NAND 供應商眾多，但 DRAM 基本上只有三星、SK 海力士與美光三家。提高 DRAM 產量能直接拉升獲利。」
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半導體業界消息指出，三星近期對 NAND 市場採取較保守的評估，但認為通用型 DRAM 需求將大幅攀升，價格也有持續上漲的趨勢，因此已開始著手擴產。
隨著全球大型科技公司加速投入 AI 基礎建設，支援 CPU、GPU 高速運算的記憶體晶片出現供不應求的情形。業界估計，目前市場對 DRAM 的需求約為三星、SK 海力士與美光三家記憶體供應能力的三倍。甚至有企業願意將 96GB、128GB DDR5 等高容量伺服器 DRAM 售價提高 70% 仍難以取得足夠供貨，各大科技公司也已著手洽談 2027 年的供應合約，以因應長期短缺。
目前三星在平澤 P1、P3，以及華城皆有 DRAM 與 NAND 生產。其中 P1 與華城採混合產線，同時生產 NAND 與 DRAM。此次調整將縮減 NAND 產能，改為擴大 DRAM 生產。
正在施工中的平澤 P4 工廠將導入 10 奈米級第六代（1c）DRAM 製程，計畫明年正式投產。原本預期作為晶圓代工產線的 P4 第二區也在考慮改為 DRAM 生產。
最快於明年上半年完成設備調整後，平澤 P1 與華城的產能配置將改為以 DRAM 為主，而 P4 等新產線加入後，整體 DRAM 供應將明顯提升。至於削減的 NAND 產能，預計由中國西安工廠加大生產來補足。
一位業界人士表示：「NAND 供應商眾多，但 DRAM 基本上只有三星、SK 海力士與美光三家。提高 DRAM 產量能直接拉升獲利。」
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