記憶體的TCCD是什麼意思？

[tom7089]

Originally posted by dayto@Jul 4 2004, 03:59 PM
國內的廠商快加油喔，不然錢都被韓國人賺走啦（hynix & samsung） :OPP:

早就被賺走了 |||

 

[Sidewinder]

Originally posted by tom7089+Jul 4 2004, 04:06 PM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (tom7089 @ Jul 4 2004, 04:06 PM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-dayto@Jul 4 2004, 03:59 PM
國內的廠商快加油喔，不然錢都被韓國人賺走啦（hynix & samsung） :OPP:

早就被賺走了 ||| [/b][/quote]
呵呵
沒辦法的事
別人早了一步

三爽的TCCC效能好不好啊
昕威有做耶
還是我看錯了 :??:

 

[wj2k]

三星的棵粒丫~

 

[最愛濱崎步]

Originally posted by jeffchen+Jul 3 2004, 09:06 PM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (jeffchen @ Jul 3 2004, 09:06 PM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-jenfuhung@Jul 3 2004, 09:03 PM
實在不太懂，比人家貴了快50%，想了解一下tccd是什麼意思？
是一種新的技術嗎？還是…

TCCD是顆粒名稱簡稱啦 這圖看的懂吧

[/b][/quote]
了解 :P

 

[cocat99]

有好的CPU和版子
沒有好RAM的搭配
也是跑不出好的效能和成績

有好東西能入手就入手
有時候過了這村就沒那店
就像BH5現在大多在二手區
要不然就要到國外才找的到
有團購能跟上就跟上

要不要買其實還是要看使用者
一般人能上網,文書作業
外加打打電動
能穩定就好

 

[supreme]

TCCD是顆粒名稱簡稱啦 這圖看的懂吧

請問Jeff大, 記憶體上"DDR400 2-5-2-2"是什麼意思? ;rr;

 

[狂少]

TCCD..不是記憶體顆粒簡稱
而是samsung顆粒的封裝,還有料號等資料代號

光是K4H560838F...就有這些料號
K4H560838F-TCB30
K4H560838F-TCB3T
K4H560838F-TCC50
K4H560838F-TCCC0
K4H560838F-TCCD0
K4H560838F-UCB30
K4H560838F-UCB3T
K4H560838F-UCCCT
K4H560838F-W2000

而這些對應的料號的產品是:
K4H560838F-TCB3
K4H560838F-TCB3
K4H560838F-TCC5
K4H560838F-TCCC
K4H560838F-TCCD
K4H560838F-UCB3
K4H560838F-UCB3
K4H560838F-UCCC
K4H560838F-W200


而TCCD就是最後一批含鉛的IC...後4種IC都是lead free.

還有
上面的supreme兄
那是記憶體的3大主要參數:
CL-tRCD-tRP

 

[supreme]

而TCCD就是最後一批含鉛的IC...後4種IC都是lead free.

還有
上面的supreme兄
那是記憶體的3大主要參數:
CL-tRCD-tRP[/QUOTE]

狂少大, 謝謝告知.....;em28;

剛找了很多超頻資料............;em28;

CL（CAS Latency）
　　中文名称为“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，在BIOS中的选项可能为：2、2.5和3。随着DFI NF4主板的出现，还增加了1.5这个极限选项。这个参数很重要，内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。

tRCD（RAS-to-CAS Delay）
　　中文为“行寻址至列寻址延迟时间”，一般选项有2、3、4、5，别名有Active to CMD等。对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。
　　
tRP（RAS Precharge Time）
　　“内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多，一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。

另外請教您, 當我Ram超頻後, 這三大參數我怎麼知道要設多少? ;rr;

我是用Gskill TCCD FX DDR 400, 想要將記憶體提高外頻至250MHz,

記憶體除頻要選多少? 133, 166 or?

CPU是Opteron 165, 想將外頻設300, 倍頻設8.....;rr;

唉..........看了好多超頻文獻, 還是一知半解 .............;ng;


PS: Prison Break讚喔!! Scofield Brothers!! ;em25;
　

 

[lochan]

看起來跟之前的封裝並沒有差阿！是貴在那？
另外現在高速ram好像都是三星的，國內的怎麼都不見了，
晶豪科…，難道我們連ram的技術也落後了？

封裝不是重點 裡面的晶圓才是一切~~

 

[馬屁論壇]

TCCD是超頻神話,能和k8 u跑300同步是許多人的夢想@.@