記憶體 Intel 與 SoftBank 推 Z-Angle Memory(ZAM)新一代高密度記憶體架構

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Intel 想用新型記憶體技術再度插旗記憶體領域,而 SoftBank 打算把它變成未來 AI 資料中心的一部分。

隨著 AI 發展從訓練慢慢轉向推論,資料中心的壓力點也在變。現在卡的往往不是純算力,而是 GPU 與記憶體之間要搬的資料量太大,同時又不能把功耗推得更誇張。所以業界開始更在意一件事:高容量、高頻寬,但又不能太耗電的記憶體。

SoftBank 旗下在 2024 年底成立的 SAIMEMORY,已在 2026 年 2 月 2 日與 Intel 簽下合作協議,要推進一種叫做 Z-Angle Memory(ZAM) 的次世代記憶體技術。時程也不是空話,規劃是 2027 財年做出原型,2029 財年邁向商用。

這項技術並非從零開始。它的基礎來自 Intel 之前在美國能源部 AMT 計畫下推進的次世代 DRAM 鍵結技術(NGDB),相關研究還有國家實驗室參與驗證。換句話說,底層技術是有來歷的,不是簡報用名詞。

ZAM 的思路和大家熟悉的 HBM 不太一樣。HBM 是標準的垂直堆疊、用 TSV 往下直通;ZAM 則是改成「斜向」互連,讓連接在堆疊中呈現類似 Z 字角度的路徑。這樣做的好處,理論上是能把更多矽面積留給記憶體單元本身,同時降低熱阻,讓堆得更高變得比較可行。再加上銅對銅混合鍵結,層與層之間的結合會更緊密,看起來更像一整塊晶體,而不是鬆散堆起來的結構。設計上還傳出可能是無傳統電容架構,並透過 Intel 的 EMIB 去和 AI 晶片互連。

intel_zam.jpg

(圖片由 AI 產生)

如果這些設計都能落地,外界推測的方向包括功耗可比現行方案低四到五成、單顆容量上看數百 GB 等級,製造與堆疊彈性也會更高。不過這些都還是潛在優勢,真正數據得等產品階段才會明朗。

SoftBank 為何要親自下場做記憶體,邏輯其實很直接:他們正在布局自家 AI 基礎設施與 ASIC,如果連記憶體堆疊都能掌握,就能從架構層面一起設計,而不是被現有標準綁住。這對大型模型推論那種長時間、重頻寬又講究功耗的場景特別有吸引力。

對 Intel 來說,這一步也有歷史味。公司早年就是做記憶體起家,1980 年代因競爭退出 DRAM 市場,之後重心轉向處理器。現在 AI 把記憶體的重要性再次拉到戰略等級,Intel 並不是要回去打傳統 DRAM 價格戰,而是從高階架構與封裝切入,試圖站在新的技術節點上。

最後關鍵還是生態系。ZAM 再怎麼有潛力,都得有人願意把它實際放進 AI 加速器與資料中心平台裡量產。如果大客戶點頭,這會是一條新支線;如果沒有設計導入,再漂亮的架構也只能停在白皮書裡。