Intel 在 Hot Chips 2026 進一步公布 18A-P 製程技術細節，並分享來自量產中 x86 核心的實際測量數據。這是 18A 的後續版本，透過 GAA（Gate-All-Around）RibbonFET、背面供電（BSPD）以及新的 Power Boost 技術，進一步提升效能與能源效率。
Intel 表示，相較於 18A，18A-P 可在相同功耗下提升超過 9% 效能，或在相同性能下將功耗降低超過 18%。更引人注意的是，Intel 已經在量產中的 x86 核心上測得 0.5V 電壓下最高 30% 的工作頻率提升。
這項 30% 的數據並非單純的架構比較，而是以相同類型核心，在相同電壓條件下比較 GAA＋背面供電與傳統 FinFET，藉此觀察製程本身帶來的差異。除了低電壓表現外，Intel 也表示 18A-P 在較高電壓下同樣能帶來雙位數的頻率提升。
18A-P 的主要升級之一是 Power Boost。Intel 透過新的雙接點架構降低接觸電阻，在相同電容負載下提供更高驅動電流，進而提高運作頻率。此外，18A-P 還增加 W1、W1.5 與 W3P 等不同 RibbonFET 選項，其中 W3P 搭配 Power Boost 後，可在不增加電氣負載的情況下提升約 10% 運作速度。
背面供電同樣是 18A-P 的重點。將電源從晶片背面輸入，可以降低供電路徑上的電壓損失，尤其在高電壓、高負載情況下更加明顯。Intel 18A 本身已經展示背面供電的優勢，18A-P 則進一步強化這項技術。
此外，18A-P 還改善散熱結構，使鍵合堆疊的熱傳導能力提升 50%，整體堆疊的熱阻則改善約 20～40%。製程也增加兩層粗金屬層，以降低互連電阻與佈線壅塞，在不同電壓下額外帶來約 2～3% 的頻率提升。
其中 Diamond Rapids 將主打資料中心市場，最高可提供 256 個核心，核心數是前代產品的兩倍。Intel 同時調整封裝設計，把 I/O 移至封裝中央，讓各核心能更平均地存取記憶體，以應付 AI 工作負載對記憶體頻寬的需求。
Intel 認為，18A-P 提供的額外頻率空間，除了可以提高核心數，也能進一步提升單核心效能。
目前 Intel 預計 Diamond Rapids 與 Nova Lake 都將在 2027 年推出。如果 18A-P 的量產表現確實能延續這次公布的數據，對 Intel 而言，這可能會是 18A 製程真正開始展現實力的重要一步。
Intel 表示，相較於 18A，18A-P 可在相同功耗下提升超過 9% 效能，或在相同性能下將功耗降低超過 18%。更引人注意的是，Intel 已經在量產中的 x86 核心上測得 0.5V 電壓下最高 30% 的工作頻率提升。
這項 30% 的數據並非單純的架構比較，而是以相同類型核心，在相同電壓條件下比較 GAA＋背面供電與傳統 FinFET，藉此觀察製程本身帶來的差異。除了低電壓表現外，Intel 也表示 18A-P 在較高電壓下同樣能帶來雙位數的頻率提升。
18A-P 的主要升級之一是 Power Boost。Intel 透過新的雙接點架構降低接觸電阻，在相同電容負載下提供更高驅動電流，進而提高運作頻率。此外，18A-P 還增加 W1、W1.5 與 W3P 等不同 RibbonFET 選項，其中 W3P 搭配 Power Boost 後，可在不增加電氣負載的情況下提升約 10% 運作速度。
背面供電同樣是 18A-P 的重點。將電源從晶片背面輸入，可以降低供電路徑上的電壓損失，尤其在高電壓、高負載情況下更加明顯。Intel 18A 本身已經展示背面供電的優勢，18A-P 則進一步強化這項技術。
此外，18A-P 還改善散熱結構，使鍵合堆疊的熱傳導能力提升 50%，整體堆疊的熱阻則改善約 20～40%。製程也增加兩層粗金屬層，以降低互連電阻與佈線壅塞，在不同電壓下額外帶來約 2～3% 的頻率提升。
Diamond Rapids、Nova Lake 將率先採用
Intel 預計讓 Diamond Rapids Xeon 與 Nova Lake Core 成為最早受惠於 18A-P 的產品。其中 Diamond Rapids 將主打資料中心市場，最高可提供 256 個核心，核心數是前代產品的兩倍。Intel 同時調整封裝設計，把 I/O 移至封裝中央，讓各核心能更平均地存取記憶體，以應付 AI 工作負載對記憶體頻寬的需求。
Intel 認為，18A-P 提供的額外頻率空間，除了可以提高核心數，也能進一步提升單核心效能。
目前 Intel 預計 Diamond Rapids 與 Nova Lake 都將在 2027 年推出。如果 18A-P 的量產表現確實能延續這次公布的數據，對 Intel 而言，這可能會是 18A 製程真正開始展現實力的重要一步。