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Intel 近期首度對外展示其參與的 Z-Angle Memory（ZAM）記憶體技術原型，這項方案被視為試圖從架構層面解決現行 HBM 在散熱與擴充性上的物理限制。相關內容出現在日本活動 Intel Connection Japan 2026 上，也讓原本只存在於研究與概念層面的 ZAM，首次有了具體樣貌。 ZAM 的核心概念是改變堆疊式記憶體的互連方式。傳統 HBM 依賴大量垂直 TSV（Through-Silicon Via）直通通孔，把訊號一路往下打洞傳遞；ZAM 則採用所謂的...

Intel 想用新型記憶體技術再度插旗記憶體領域，而 SoftBank 打算把它變成未來 AI 資料中心的一部分。 隨著 AI 發展從訓練慢慢轉向推論，資料中心的壓力點也在變。現在卡的往往不是純算力，而是 GPU 與記憶體之間要搬的資料量太大，同時又不能把功耗推得更誇張。所以業界開始更在意一件事：高容量、高頻寬，但又不能太耗電的記憶體。 SoftBank 旗下在 2024 年底成立的 SAIMEMORY，已在 2026 年 2 月 2 日與 Intel 簽下合作協議，要推進一種叫做 Z-Angle Memory（ZAM） 的次世代記憶體技術。時程也不是空話，規劃是 2027...