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  1. I

    860(Lynnfield)的OC設定問題

    咱看見不少強者能用低核心電壓將Lynnfield超上200的外頻,這邊用上1.25V才能通過燒機站穩在168*22;em44; 想各位請教一下,哪些參數設定對Lynnfield的base clock OC的影響比較大(瓶頸所在)? 個人希望(CPU的體質許可的話)在1.20V左右能通過燒機(至少8小時)長跑3.7-3.8Ghz.....是不是太困難了?
  2. I

    RAM OC: 高頻率高CL VS. 低頻率低CL

    拙者試超兩條金士頓的DDR3 1333 (9-9-9-24), 結果在預設電壓(1.5V),system memory multiplier (X10)下, 能跑155mhz *10 = 1550mhz; 延遲值限界為7-9-6-21; (memtest 500% pass) 而將system memory multiplier改為X12的話, 能跑155mhz *12 = 1860mhz; 延遲值限界為8-10-7-24; (同樣memtest 500% pass) Google找到的大多說是高頻率比低CL效能提升更大,現在的場合是不是也這樣?
  3. I

    [超頻新米]省電與OC(speedstep,turbo boost)

    首先說明,拙者從沒CPU超頻經驗,算是爬了一下文,但因為目的太過另類,找不到適合的教學,只好求教各位大大, 超頻要求: 1. 不加核心電壓(偶知道要很困難,但環境所限,不想温度大升); 2. OC後平時可以照樣用speedstep跑低速保持低温(看拙者的散熱裝置就明白...) 3. 超不成也沒關係,安全第一,穩定至上(你還超頻幹啥), 完事後必須通過IBT慢烤... 環境: -沒泠氣,夏天温度可以達到攝氏36度以上, -塵略多(清潔後沒一周又看到堆到看到的程度...) -濕度偏低,基本上沒氧化問題 系統 CPU...
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