美光科技（Nasdaq: MU）今日宣布，已向主要伺服器生態系合作夥伴提供 256GB DDR5 具暫存器雙列直插式記憶體模組（RDIMM）樣品。該模組採用業界領先的 1-gamma 製程技術，最高速度可達每秒 9,200 百萬次傳輸（MT/s），較目前量產中的模組快了40% 以上。[1]
此款模組採用先進封裝技術，結合 3D 堆疊（3DS）與矽穿孔（TSV）技術，將多顆記憶體晶粒整合於單一模組中。搭配美光 1-gamma DRAM，這些創新可提供支援下一世代 AI 系統所需的容量、速度與能源效率。一條 256GB 模組相較於兩條 128GB 模組，可降低超過 40% 的運行功耗，進一步提升現代 AI 資料中心的整體效率。[2]
生態系合作夥伴驗證
美光正與多家關鍵生態系合作夥伴合作，針對 256GB 1-gamma DDR5 RDIMM 於現有與次世代伺服器平台進行驗證。此共同驗證可確保其在各類平台上的廣泛相容性，並加速導入大量部署，協助資料中心客戶建置 AI 與高效能運算（HPC）基礎設施。
美光科技資深副總裁暨雲端記憶體事業部總經理 Raj Narasimhan 表示，容量、頻寬與功耗是決定 AI 效率的關鍵要素。透過我們的 256GB DDR5 RDIMM，美光正協助伺服器實現顯著的效能提升。此產品基於 1-gamma DRAM，並結合先進 3DS 與 TSV 封裝技術，提供業界領先的速度與能源效率，幫助資料中心架構師能更有效率地擴展 AI 基礎設施。
滿足 AI 時代的記憶體需求
隨著大型語言模型（LLM）、代理型 AI（agentic AI）、即時推論以及高核心數 CPU 工作負載快速發展，企業伺服器對於更高記憶體容量、更大頻寬與更佳能源效率的需求日益迫切。美光 256GB DDR5 RDIMM 正是針對這些需求設計，讓伺服器架構師、雲端營運商與平台合作夥伴能在既有的散熱與功耗限制下，最大化每個處理器插槽的記憶體容量。
樣品與供應資訊
美光採用 1-gamma 製程的 256GB DDR5 RDIMM 目前已提供給主要伺服器生態系合作夥伴進行平台驗證。欲了解更多美光資料中心解決方案，請參閱官方網站Micron data center memory webpage。
[1] 效能優勢是以 9,200 MT/s 相比 6,400 MT/s 產品所計算得出。
[2] 功耗以瓦特（W）為單位測量。計算方式為比較兩條 128GB 模組（各為 9.7 W，合計 19.4 W）與單條 256GB 模組（11.1 W）。
此款模組採用先進封裝技術，結合 3D 堆疊（3DS）與矽穿孔（TSV）技術，將多顆記憶體晶粒整合於單一模組中。搭配美光 1-gamma DRAM，這些創新可提供支援下一世代 AI 系統所需的容量、速度與能源效率。一條 256GB 模組相較於兩條 128GB 模組，可降低超過 40% 的運行功耗，進一步提升現代 AI 資料中心的整體效率。[2]
生態系合作夥伴驗證
美光正與多家關鍵生態系合作夥伴合作，針對 256GB 1-gamma DDR5 RDIMM 於現有與次世代伺服器平台進行驗證。此共同驗證可確保其在各類平台上的廣泛相容性，並加速導入大量部署，協助資料中心客戶建置 AI 與高效能運算（HPC）基礎設施。
美光科技資深副總裁暨雲端記憶體事業部總經理 Raj Narasimhan 表示，容量、頻寬與功耗是決定 AI 效率的關鍵要素。透過我們的 256GB DDR5 RDIMM，美光正協助伺服器實現顯著的效能提升。此產品基於 1-gamma DRAM，並結合先進 3DS 與 TSV 封裝技術，提供業界領先的速度與能源效率，幫助資料中心架構師能更有效率地擴展 AI 基礎設施。
滿足 AI 時代的記憶體需求
隨著大型語言模型（LLM）、代理型 AI（agentic AI）、即時推論以及高核心數 CPU 工作負載快速發展，企業伺服器對於更高記憶體容量、更大頻寬與更佳能源效率的需求日益迫切。美光 256GB DDR5 RDIMM 正是針對這些需求設計，讓伺服器架構師、雲端營運商與平台合作夥伴能在既有的散熱與功耗限制下，最大化每個處理器插槽的記憶體容量。
樣品與供應資訊
美光採用 1-gamma 製程的 256GB DDR5 RDIMM 目前已提供給主要伺服器生態系合作夥伴進行平台驗證。欲了解更多美光資料中心解決方案，請參閱官方網站Micron data center memory webpage。
[1] 效能優勢是以 9,200 MT/s 相比 6,400 MT/s 產品所計算得出。
[2] 功耗以瓦特（W）為單位測量。計算方式為比較兩條 128GB 模組（各為 9.7 W，合計 19.4 W）與單條 256GB 模組（11.1 W）。
