儲存設備 Samsung 量產第五代 V-NAND 90層堆棧, QLC 也在路上

本帖由 soothepain2018-07-10 發佈。版面名稱:新品資訊

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By soothepain on 2018-07-10 ,20:18
  1. soothepain

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    2018年各大 NAND 廠都已經大規模量產了64層堆棧的 3D NAND,以 TLC 為主,下一代快閃記憶體的堆棧層數要繼續提升50%達到96層。三星今天宣布量產第五代 V-NAND 快閃記憶體,業界首發 Toggle DDR 4.0 接口,速率達到了1.4Gbps,堆棧層數超過90層。此外,三星還準備推出1Tb核心容量以及 QLC 結構的 V-NAND 快閃記憶體。

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    三星的 V-NAND 是 3D NAND 中的一種,目前主力生產的是第四代 V-NAND,堆棧層數64層,現在量產的是第五代 V-NAND 快閃記憶體,核心容量256Gb並不算高,但是各項指標很強大,它首發支持 Toggle DDR 4.0 接口,傳輸速度達到了1.4Gbps,相比64層堆棧的 V-NAND 快閃記憶體提升了40%。

    第五代 V-NAND的性能、功耗也進一步優化,工作電壓從1.8V降至1.2V,同時寫入速度也是目前最快的,只有500us,比上一代快閃記憶體提升了30%,讀取信號的反應時間也縮短到了50us。

    三星的第五代 V-NAND 快閃記憶體內部堆棧了超過90層 CTF Cell 單元,是目前堆棧層數最高的,這些儲存單元通過微通道孔洞連接,每個孔洞只有幾百納米寬,總計包含超過850億個CTF單元,每個單元可以儲存三位數據(TLC)。

    此外,第五代 V-NAND 快閃記憶體在製程上也做了優化,製造生產效率提升了30%,先進的製程使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%,減少了單位之間的竄擾,提高了數據處理的效率。

    除了第五代 V-NAND 快閃記憶體之外,三星還準備推出核心容量高達1Tb的 NAND 及 QLC 快閃記憶體,繼續推動下一代快閃記憶體發展。

    三星目前正在加大第五代 V-NAND 快閃記憶體的量產,以便滿足高密度儲存領域,如超算、企業伺服器及移動市場的需求。







    來源:http://www.expreview.com/62686.html
     

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