儲存設備 Samsung 投產第九代 V-NAND, 儲存密度提升 50%

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Samsung 今天宣布正式開始量產第九代 V- NAND 快閃記憶體,首批開始量產的是容量為 1Tb 的 TLC ,新一代快閃記憶體的量產將進一步增強 Samsung 在該市場的競爭力,鞏固其領導地位。

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Samsung 電子記憶體業務部快閃記憶體產品與技術負責人 SungHoi Hur 表示:“我們非常高興推出業界首款第九代 V-NAND 產品,它將為未來應用帶來顯著飛躍。為了滿足不斷演進的 NAND 快閃記憶體解決方案需求,我們在下一代產品的單元架構和操作方案上進行了突破。透過最新的 V-NAND,Samsung 將持續引領高效能、高密度固態硬碟市場潮流,以滿足即將到來的人工智慧時代的需求。”

與上一代 V-NAND 相比,第九代 V-NAND 的單位面積儲存密度提高了約50%,這得益於業界最小的細胞尺寸和最薄的模具層。為了提升產品品質和可靠性,Samsung 採用了新的創新技術,諸如避免單元干擾和延長單元壽命,同時取消備用通道孔則大幅減少了儲存單元的平面面積。

此外,Samsung 在新一代快閃記憶體上應用了通道孔蝕刻技術,該技術透過堆疊模具層來創建電子通路,並在雙棧結構中實現行業最高單元層數的同時鑽孔,從而最大化製造效率。隨著單元層數增加,穿透更高層數單元的能力變得至關重要,這要求更為精密的蝕刻技術。

第九代 V-NAND 採用了新一代 Toggle 5.1 快閃記憶體接口,讓資料傳速速度提升33%,高達3.2Gbps。新的介面可為最新的 PCIe 5.0 SSD 提供足夠的效能頻寬保障。與上一代產品相比,第九代 V-NAND 在低功耗設計方面也有改進,其功耗降低了10%,可使 SSD 更為節能。

Samsung 已於本月啟動 1Tb TLC 第九代 V-NAND 的大規模生產,隨後將於今年下半年推出 QLC 的產品。





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