儲存設備 Kioxia 推出 BiCS8 FLASH QLC 快閃記憶體, 最大 2Tb 容量

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Kioxia 宣布,推出基於第八代 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體技術的 BiCS8 FLASH 2Tb QLC(四級單元),目前已開始送樣。其擁有業界最大的 2Tb 容量,將推動人工智慧(AI)在內的多個應用領域的成長。

Kioxia_BiCS_FLASH.jpg


Kioxia 表示,BiCS8 FLASH 2Tb QLC NAND 快閃記憶體基於其最新的技術,透過專有製程和創新架構,實現了記憶體晶片的縱向和橫向縮放平衡。鎧俠引入了與 WD 合作開發的 CBA(CMOS directly Bonded to Array)技術,將每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優狀態下單獨製造的,然後粘合在一起,提供了增強的位元密度和 NAND I/O 介面速度(3.6Gbps)。

相較於第五代 BiCS FLASH QLC 快閃記憶體產品,這次第八代 BiCS FLASH 2Tb QLC 快閃記憶體的位元密度提高了約2.3倍,寫入能效比提高了約 70%。不僅如此,全新的 QLC 產品架構可在單一記憶體封裝中堆疊16個晶片,可提供 4TB 容量,並採用更為緊湊的封裝設計,尺寸僅 11.5 x 13.5 mm,高度為 1.5 mm。

除了 2Tb QLC 快閃記憶體外,鎧俠還帶來了性能更強的 1Tb QLC 快閃記憶體。1Tb QLC 快閃記憶體的順序寫入效能在 2Tb QLC 快閃記憶體基礎上再提升了約 30%,讀取延遲降低了約 15%,更適用於高效能領域,包括客戶端 SSD 和行動裝置。





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