儲存設備 Samsung 計畫2026年推400層 NAND 快閃記憶體, 2030年超過1000層

soothepain

full loading
已加入
9/17/03
訊息
21,325
互動分數
1,934
點數
113
網站
www.coolaler.com
Samsung 在2013年推出了第一款量產的 3D NAND 記憶體,稱為 V-NAND,並因此領先於競爭對手。Samsung 是從24層 V-NAND 開始,逐漸累積了豐富的經驗,目前最新量產的是第9代 V-NAND,層數達到了290層。

Samsung_NAND_QLC.jpg


隨著人工智慧(AI)的蓬勃發展,市場除了 HBM 這類高頻寬記憶體,也需要更多層數的 NAND 快閃記憶體,這是大型資料中心大容量 SSD 的理想選擇,而 Samsung 的目標是2026年推出400層垂直堆疊的 NAND ,以便在激烈的市場競爭中佔據領先位置。

目前儲存產業似乎已進入「層層堆疊」的激烈競爭當中,Samsung 的主要競爭對手包括了SK Hynix 和鎧俠等。其中 SK Hynix 也在開發400層的 NAND,目標是在2025年年底做好大規模生產的準備。Samsung 的時間表其實差不多,大概在2026年初。

在傳統的 NAND 快閃記憶體晶片中,儲存單元堆疊在外圍電路上方,外圍電路充當晶片的大腦。然而當層數超過300層時,堆疊經常會損壞週邊設備。為了解決這個問題,Samsung 正在開發第10代 V-NAND 技術,打算使用一種創新的鍵合技術,將儲存單元和周邊電路分別在不同的晶圓上製造,然後再結合在一起。此方法可望解決儲存容量提升及散熱效率問題,預計單位面積的位元密度將提高1.6倍。

據了解,Samsung 計畫2027年帶來第11代 V-NAND 技術,資料傳輸速度將提高 50%,到2030年,V-NAND 的層數將超過1000。




來源
 
▌延伸閱讀