日前在ISSCC 2015研討會上，Samsung公佈了第二代3D V-NAND的部分細節，針對優化了的部分進行了一些解釋。
PC Watch對此進行了較為詳細的介紹，從上圖可以看到，第一代與第二代3D V-NAND在儲存密度上有很大的差異，第一代採用MLC設計，堆疊層數為24層，128Gbit容量所需面積為133mm2，而第二代採用TLC設計，堆疊層數上升至32層，儲存密度大幅提升，128Gb所佔面積為68.9mm2，第一代的儲存密度為0.93Gb/ mm2，第二代的就上升到1.86Gb/mm2，幅度達到了2.25倍，相對驚人。
兩代3D V-NAND儲存密度對比
傳統的2D記憶體在達到一定密度之後每個電源儲存的電荷量會下降，另外相鄰的儲存單元也會產生電荷干擾，為了避免這些負面影響，傳統TLC的編程會拆分為三個階段，就是為了在編程時更為精確的控制電荷量。
但是3D V-NAND就沒有傳統2D記憶體的問題，無需進行多階段控制，Samsung通過HSP技術將多階段編程過程整合為一個，記憶體編程時間大為減少。
編程時間縮短為原來的二分之一，寫入功耗可以降低40%
儲存核心的立體構造（中），Word line的阻值檢測（左）
記憶體在結構上有所改變，造成了Word line在近段、遠端的阻值會有些差異，這樣的差異會造成讀取放大器與控制解碼間的遲滯，為了解決這樣的問題，進行了阻值檢測，以及針對不同的Word Line參數給予不同的電壓，這樣一來就能夠有效減低setup-time。
數據總線的架構圖，可實現1Gbps的高速數據傳速
在讀寫方面，在4G數據預讀的同時，還會進行2路交錯的動作加速數據的傳送。還有在數據頻寬由原本的32Bit擴大到現在64Bit，然後根據傳輸速度的高低，晶片內部的電壓調節器進行電流調整以及電壓變動抑制，減少了信號的抖動，1Gbps下的抖動從420ps降低到280ps，這樣就實現了1Gbps的高速數據傳速。
來源：
http://www.expreview.com/39187.html
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20150305_691450.html
PC Watch對此進行了較為詳細的介紹，從上圖可以看到，第一代與第二代3D V-NAND在儲存密度上有很大的差異，第一代採用MLC設計，堆疊層數為24層，128Gbit容量所需面積為133mm2，而第二代採用TLC設計，堆疊層數上升至32層，儲存密度大幅提升，128Gb所佔面積為68.9mm2，第一代的儲存密度為0.93Gb/ mm2，第二代的就上升到1.86Gb/mm2，幅度達到了2.25倍，相對驚人。
兩代3D V-NAND儲存密度對比
傳統的2D記憶體在達到一定密度之後每個電源儲存的電荷量會下降，另外相鄰的儲存單元也會產生電荷干擾，為了避免這些負面影響，傳統TLC的編程會拆分為三個階段，就是為了在編程時更為精確的控制電荷量。
但是3D V-NAND就沒有傳統2D記憶體的問題，無需進行多階段控制，Samsung通過HSP技術將多階段編程過程整合為一個，記憶體編程時間大為減少。
編程時間縮短為原來的二分之一，寫入功耗可以降低40%
儲存核心的立體構造（中），Word line的阻值檢測（左）
記憶體在結構上有所改變，造成了Word line在近段、遠端的阻值會有些差異，這樣的差異會造成讀取放大器與控制解碼間的遲滯，為了解決這樣的問題，進行了阻值檢測，以及針對不同的Word Line參數給予不同的電壓，這樣一來就能夠有效減低setup-time。
數據總線的架構圖，可實現1Gbps的高速數據傳速
在讀寫方面，在4G數據預讀的同時，還會進行2路交錯的動作加速數據的傳送。還有在數據頻寬由原本的32Bit擴大到現在64Bit，然後根據傳輸速度的高低，晶片內部的電壓調節器進行電流調整以及電壓變動抑制，減少了信號的抖動，1Gbps下的抖動從420ps降低到280ps，這樣就實現了1Gbps的高速數據傳速。
來源：
http://www.expreview.com/39187.html
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20150305_691450.html
