斜角記憶體

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    記憶體 Intel 首度公開 Z-Angle Memory（ZAM）斜角記憶體, 架構瞄準散熱與頻寬瓶頸

    Intel 近期首度對外展示其參與的 Z-Angle Memory（ZAM）記憶體技術原型，這項方案被視為試圖從架構層面解決現行 HBM 在散熱與擴充性上的物理限制。相關內容出現在日本活動 Intel Connection Japan 2026 上，也讓原本只存在於研究與概念層面的 ZAM，首次有了具體樣貌。 ZAM 的核心概念是改變堆疊式記憶體的互連方式。傳統 HBM 依賴大量垂直 TSV（Through-Silicon Via）直通通孔，把訊號一路往下打洞傳遞；ZAM 則採用所謂的...
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