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    儲存設備 Samsung 第九代 V9 QLC NAND 量產再延後, SK hynix 搶先量產321層

    隨著大型雲端服務商全力擴建 AI 基礎設施、推升高效能推論需求,高容量儲存裝置的需求持續飆升,下一代 NAND 發展再度成為焦點。不過,根據來源消息,三星電子的第九代(V9)高容量 NAND 進度不如預期,V9 QLC NAND 的大規模量產將至少延後到2026年上半年。 報導指出,Samsung V9 NAND 採280層設計,去年4月就開始初期量產,首批產品採TLC(Triple-Level Cell)結構,容量達到 1Tb。到了2024年9月,三星也開始量產更高容量的 V9 QLC NAND。 不過多方消息指出,初期的 V9 QLC...