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SK Hynix 於 2025 年舉辦的 SK AI 峰會上，正式公布其未來數年的 DRAM 與 NAND 發展路線 (Roadmap)，內容涵蓋 HBM、標準 DRAM、以及針對 AI 市場設計的多項延伸產品。根據規劃，新一代 DDR6 記憶體預計最快將於 2029 至 2031 年間問世，同期還將推出 GDDR7-Next 顯示記憶體與 PCIe 7.0 SSD。 在 2026 至 2028 年階段，SK Hynix 將推出多層堆疊的 HBM4 系列，包括 8、12、16 層版本，以及專為 AI 客戶打造的客製化 HBM4E。針對傳統 DRAM 市場，則計畫導入 LPDDR6...