ddr6

SK Hynix 於 2025 年舉辦的 SK AI 峰會上，正式公布其未來數年的 DRAM 與 NAND 發展路線 (Roadmap)，內容涵蓋 HBM、標準 DRAM、以及針對 AI 市場設計的多項延伸產品。根據規劃，新一代 DDR6 記憶體預計最快將於 2029 至 2031 年間問世，同期還將推出 GDDR7-Next 顯示記憶體與 PCIe 7.0 SSD。 在 2026 至 2028 年階段，SK Hynix 將推出多層堆疊的 HBM4 系列，包括 8、12、16 層版本，以及專為 AI 客戶打造的客製化 HBM4E。針對傳統 DRAM 市場，則計畫導入 LPDDR6...

最近國外媒體分享了2021年 Samsung 技術日的一些公開資訊，透漏了一些未來記憶體的技術以及路線圖，不過簡報照片多數是不能公開的，但仍有一些相關資訊分享。 DDR5 記憶體目前才剛隨著 Intel 12代進入市場，不過隨即缺貨，基本上要到真的主流且多數平台使用預計要到2023年。雖還有兩年時間，但 Samsung 已經談到了下一代的 DDR6 記憶體，將會帶來兩倍的速度與帶寬。 DDR6 標準還未被 JEDEC 正式化，不過預設規格可能會在 12800 Mbit/s，但這只是初階開發階段，未來超頻記憶體模組可能會達到 17000 Mbit/s。 DDR6...