Intel 執行長陳立武近日暗示，公司可能重新投入記憶體市場，並透露正在研究新的記憶體架構，以及 CPU 與記憶體的 3D 堆疊技術。他表示，過去記憶體被視為高度商品化的市場，但隨著 AI 帶動運算與記憶體需求快速增加，這個產業已經出現更多技術創新的空間。
Intel 本身其實就是從記憶體起家。1968 年成立後，最早推出的產品包括 3101 SRAM 與 1103 DRAM，後來才逐漸退出傳統記憶體市場。Intel 近年最後一次較具代表性的記憶體嘗試是與 Micron 共同開發的 3D XPoint，並推出 Optane 產品，不過最終因市場規模未達預期，在 2022 年停止相關業務。
如今 AI 產業快速發展，CPU、GPU 與 AI 加速器對記憶體頻寬與容量的需求持續增加，HBM 更成為高階 AI 系統不可或缺的元件。陳立武認為，在這種情況下，記憶體已經不能單純視為價格導向的標準商品，因此 Intel 再次投入相關技術也有了新的理由。
他在近期訪談中表示，Intel 除了持續開發新的 CPU 架構，也在研究如何讓 CPU 與記憶體進一步整合，包括 3D 堆疊以及新的記憶體架構。不過目前仍屬於公司內部的研究計畫，詳細內容還沒有對外公布。陳立武甚至透露，新的記憶體架構是他目前親自關注的項目之一。
Intel 最近延攬前 SK hynix CEO Seok-Hee Lee 擔任 Foundry 與先進封裝相關業務主管，也讓這項布局更加受到關注。SK hynix 本身就是全球主要 DRAM 與 HBM 廠商之一，相關人才加入 Intel 後，外界自然會聯想到公司是否正在為重新進入記憶體市場做準備。
事實上，Intel 過去也曾嘗試 HMC（Hybrid Memory Cube）與 MCDRAM 等技術，但都沒有真正成為大規模商業產品。這次則可能換一種方式切入，包括正在與合作夥伴研究的 XBM、ZAM 等技術，重點可能放在新型記憶體架構與先進封裝，而不是單純重建傳統 DRAM 產線。
目前相關產品距離正式上市仍有一段時間，ZAM 預計可能要到 2029～2030 年左右，XBM 則可能進入 2030 年代才會有更明確的進展。不過隨著 AI 資料中心持續擴張，記憶體需求與供應問題可能成為長期挑戰，這也讓 Intel 再次研究記憶體有了不同於過去的市場環境。
如果 Intel 最終真的重返記憶體市場，這次的目標恐怕不只是重新生產 DRAM，而是把 CPU、記憶體與先進封裝整合在一起，從 AI 時代的記憶體牆尋找新的突破口。
Intel 本身其實就是從記憶體起家。1968 年成立後，最早推出的產品包括 3101 SRAM 與 1103 DRAM，後來才逐漸退出傳統記憶體市場。Intel 近年最後一次較具代表性的記憶體嘗試是與 Micron 共同開發的 3D XPoint，並推出 Optane 產品，不過最終因市場規模未達預期，在 2022 年停止相關業務。
如今 AI 產業快速發展，CPU、GPU 與 AI 加速器對記憶體頻寬與容量的需求持續增加，HBM 更成為高階 AI 系統不可或缺的元件。陳立武認為，在這種情況下，記憶體已經不能單純視為價格導向的標準商品，因此 Intel 再次投入相關技術也有了新的理由。
他在近期訪談中表示，Intel 除了持續開發新的 CPU 架構，也在研究如何讓 CPU 與記憶體進一步整合，包括 3D 堆疊以及新的記憶體架構。不過目前仍屬於公司內部的研究計畫，詳細內容還沒有對外公布。陳立武甚至透露，新的記憶體架構是他目前親自關注的項目之一。
Intel 最近延攬前 SK hynix CEO Seok-Hee Lee 擔任 Foundry 與先進封裝相關業務主管，也讓這項布局更加受到關注。SK hynix 本身就是全球主要 DRAM 與 HBM 廠商之一，相關人才加入 Intel 後，外界自然會聯想到公司是否正在為重新進入記憶體市場做準備。
事實上，Intel 過去也曾嘗試 HMC（Hybrid Memory Cube）與 MCDRAM 等技術，但都沒有真正成為大規模商業產品。這次則可能換一種方式切入，包括正在與合作夥伴研究的 XBM、ZAM 等技術，重點可能放在新型記憶體架構與先進封裝，而不是單純重建傳統 DRAM 產線。
目前相關產品距離正式上市仍有一段時間，ZAM 預計可能要到 2029～2030 年左右，XBM 則可能進入 2030 年代才會有更明確的進展。不過隨著 AI 資料中心持續擴張，記憶體需求與供應問題可能成為長期挑戰，這也讓 Intel 再次研究記憶體有了不同於過去的市場環境。
如果 Intel 最終真的重返記憶體市場，這次的目標恐怕不只是重新生產 DRAM，而是把 CPU、記憶體與先進封裝整合在一起，從 AI 時代的記憶體牆尋找新的突破口。
