根據 TrendForce 集邦諮詢 2026 年 7 月的最新分析報告指出，受惠於 AI 浪潮爆發與原廠產能增加有限，2026 年 NAND Flash（快閃記憶體） 市場將持續面臨嚴重的供不應求。不過隨著晶圓原廠逐步完成製程升級與產能調配，這股缺貨熱潮有望在 2027 年下半年迎來緩解曙光。
調研機構分析，2026 年 NAND Flash 供需位元缺口約落在 4% 至 5% 之間。原因在於各大原廠受限於現有廠房空間，且多半優先將資本支出投注在 DRAM（如 HBM）產能上，導致 NAND Flash 只能仰賴製程技術升級來補足產能。到了 2027 年，除了韓、美、日系大廠持續提升製程與投產規模外，中國大陸業者隨著新設備移入，產能將顯著放大，預計全球 NAND Flash 產出占比將拉高至近 19%。
從需求端來看，伺服器市場（Server）是支撐 NAND Flash 快閃記憶體（用於 Enterprise SSD）的絕對主力。隨著 Intel 與 AMD 新平台發酵，加上 2027 年 Agentic AI 應用落地，伺服器物料供應與長約（LTA）趨於穩定，將帶動伺服器整體出貨量成長。相反地，消費性電子產品則慘遭高零組件成本擠壓，2026 年智慧型手機產量預計年減 15% 至 20%，筆電出貨也下滑約 10%；即便到了 2027 年，終端消費市場依然處於低迷走勢。
集邦諮詢強調，雖然伺服器端佔了 NAND Flash 近 40% 以上的需求位元，但手機與筆電合計依然佔據近四成。在消費端需求持續疲軟、而原廠供給位元增速逐步追上的情況下，預計 2027 年下半年供需缺口將由負轉正，NAND Flash 供應緊缺的壓力有望逐步解除。
調研機構分析，2026 年 NAND Flash 供需位元缺口約落在 4% 至 5% 之間。原因在於各大原廠受限於現有廠房空間，且多半優先將資本支出投注在 DRAM（如 HBM）產能上，導致 NAND Flash 只能仰賴製程技術升級來補足產能。到了 2027 年，除了韓、美、日系大廠持續提升製程與投產規模外，中國大陸業者隨著新設備移入，產能將顯著放大，預計全球 NAND Flash 產出占比將拉高至近 19%。
從需求端來看，伺服器市場（Server）是支撐 NAND Flash 快閃記憶體（用於 Enterprise SSD）的絕對主力。隨著 Intel 與 AMD 新平台發酵，加上 2027 年 Agentic AI 應用落地，伺服器物料供應與長約（LTA）趨於穩定，將帶動伺服器整體出貨量成長。相反地，消費性電子產品則慘遭高零組件成本擠壓，2026 年智慧型手機產量預計年減 15% 至 20%，筆電出貨也下滑約 10%；即便到了 2027 年，終端消費市場依然處於低迷走勢。
集邦諮詢強調，雖然伺服器端佔了 NAND Flash 近 40% 以上的需求位元，但手機與筆電合計依然佔據近四成。在消費端需求持續疲軟、而原廠供給位元增速逐步追上的情況下，預計 2027 年下半年供需缺口將由負轉正，NAND Flash 供應緊缺的壓力有望逐步解除。
