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AMD 推出第2代 Versal Premium MoP 更高記憶體容量與效能

新聞重點:

  • 更低的功耗與延遲: 相較於標準自行調適系統單晶片(SoC)封裝,將記憶體直接整合至自行調適 SoC 封裝中,可實現更快的資料傳輸、降低延遲,並有助於減少功耗。
  • 專為長生命週期打造: 第 2 代 AMD Versal™ Premium 封裝內記憶體(Memory on Package, MoP)元件專為長生命週期與工業級環境打造,提供長達 15 年以上的支援,有助於降低設計風險,並使產品藍圖免受高頻寬記憶體(HBM)較短且由資料中心驅動之更新週期的影響。
  • 加速產品上市時程: 經預先驗證的封裝內記憶體可減少電路板層級的記憶體設計、模擬與驗證工作,有助於加速產品上市。
AMD 宣布推出第 2 代 AMD Versal Premium 封裝內記憶體(Memory on Package, MoP)自行調適系統單晶片(SoC)。MoP 架構將最高 32GB 的 LPDDR5X 整合至單一封裝中,可在最高減少 60% 電路板面積(註1)的同時,提供高達 288GB/s 的頻寬,使工程師無需承擔電路板層級記憶體設計所帶來的風險與時間成本,即可建構高頻寬系統。隨著實體 AI、網路等工作負載需在日益受限的空間與功耗預算下處理更多資料,MoP 鎖定最需要此技術的設計領域:測試與測量、專業影片剪輯等需求。

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AMD 自行調適與嵌入式產品行銷與管理資深總監 Sumit Shah 表示:「多年來,系統架構師必須在所追求的記憶體頻寬,與其專案實際能負擔的空間、功耗及生命週期之間做出取捨。MoP 消除了這項取捨。客戶得以針對自己想打造的系統進行設計,而不再受限於記憶體條件,並能更快將產品推向市場。」

縮小佔用空間,擴展頻寬​

藉由全新的封裝內記憶體自行調適 SoC,AMD 正重新定義精巧型系統設計的可能性。透過將 LPDDR5X 直接整合至封裝中,相較於板載 LPDDR5X,此元件可提供更高的效能(註2),同時佔用面積也比獨立式設計方案更小。

如此一來,便能實現過往採用外部記憶體時難以達成或不具實用性的外型規格,例如企業與資料中心標準外型規格(EDSFF)等,同時協助設計人員滿足獨立式記憶體方案往往無法達成的電信等領域需求。

第 2 代 AMD Versal Premium MoP 元件在硬式 IP 中整合了 64Gb/s 的 CXL® 3.1 與 PCIe® 6.0,與 AMD EPYC™ CPU 搭配使用時可實現高速資料傳輸,從而加速資料密集型應用。AMD 協助系統架構師更靈活地擴展記憶體資源,提供最高 9,000Mb/s 的 LPDDR5X 支援,並可連接 CXL 記憶體池化與擴充模組。

專為長生命週期部署打造​

第 2 代 AMD Versal Premium MoP 自行調適 SoC 專為嚴苛的實體 AI 與企業級 AI 環境而設計,支援 -40°C 至 110°C 的工業級運作溫度範圍。這些元件非常適合效能與韌性必須兼具的全天候關鍵任務系統。

憑藉 LPDDR5X 與長達 15 年以上的生命週期支援,第 2 代 AMD Versal Premium MoP 元件有助於使產品供應不再受高頻寬記憶體(HBM)較短且由資料中心驅動之更新週期的影響,從而降低因記憶體停產或可取得性受限而導致被迫重新設計的風險。

PCIe 完整性與資料加密(IDE)是 PCIe 6.0 導入的一項功能,可在連結層保護傳輸中的資料,協助抵禦實體攻擊。整合式控制器中的 DDR 記憶體加密功能,無需佔用可程式化邏輯資源即可協助保護靜態資料。硬式 400G 高速加密引擎可實現高頻寬的安全處理,在不犧牲吞吐量的前提下強化安全性。

加速產品上市時程​

第 2 代 AMD Versal Premium MoP 元件內建經預先驗證的封裝內 LPDDR5X 介面,免除在電路板上進行高速記憶體佈線的需求,可減少電路板層級的模擬與驗證,同時有助於縮短開發週期、降低設計風險,並將成本高昂的重新投片降至最低。

使用者現在即可採用現已出貨的標準第 2 代 AMD Versal Premium 系列元件著手開發。透過成熟的 AMD Vivado™ 與 Vitis™ 工具流程、相容 IP 及現有參考設計的支援,有助於快速將設計從概念推進至部署階段,同時讓現有客戶無需重新設計或重新學習,即可採用全新的 MoP 元件。

第 2 代 AMD Versal Premium MoP 元件將於 2026 年底開始提供樣品,預計於明年下半年開始量產出貨。