美國政府正推動新一輪立法程序，進一步限制中國記憶體供應商在政府產品中的使用。根據最新提出的規則制定（rulemaking）草案，來自中國的記憶體與晶片產品，未來可能被排除於多項政府採購與商用產品之外。
此次提案由美國聯邦採購法規委員會（FAR Council）提出，針對中國晶片製造商進一步設限，涵蓋對象包括 長江存儲、長鑫存儲 以及 中芯國際 等企業及其關聯公司。
根據 FAR Council 草案，受涵蓋半導體產品或服務的定義，包括由上述中國企業設計、生產或提供的半導體產品，以及含有這些半導體元件的商品或相關服務。
這項提案為 2023 財年《國防授權法》（National Defense Authorization Act, NDAA）第 5949 條的修正案。該條文原已對中國晶片企業產品設下限制，而此次修正進一步明確規範，限制將適用於價值 15,000 美元以下的產品，包括現成（off-the-shelf）商品，以及商用 IT 與電信服務。
此外，FAR Council 也建議對目前已在官方體系內使用的電子產品進行全面審查。不過，若相關產品在 2027 年 12 月 23 日之前完成採購，則不受新規範影響。
目前該修正案仍開放公眾意見徵詢至 4 月 20 日，意味著相關限制尚未正式定案。但整體方向顯示，美方有意進一步降低中國半導體元件在政府終端設備中的比重。
在消費性電子領域，近來因 DRAM 供應吃緊，三大記憶體供應商產能多數轉向企業市場，使消費產品供應空間受到擠壓。在此背景下，部分中國廠商原被視為潛在替代來源。
然而，若政府層級全面禁止採用中國記憶體晶片，筆電、手機與 PC 製造商在產品設計與供應鏈規劃上，將面臨更高複雜度。特別是在政府市場與商用市場高度重疊的情況下，品牌廠可能傾向統一供應策略，以避免合規風險。
市場曾傳出，部分大型 PC 製造商已與長鑫存儲接觸，探討 DRAM 合作可能性。不過在新法規陰影下，相關合作是否能真正落地，仍有待觀察。
整體而言，若該提案最終通過，美中科技供應鏈的切割趨勢恐將進一步深化，對記憶體產業與全球電子產品布局帶來長期影響。
此次提案由美國聯邦採購法規委員會（FAR Council）提出，針對中國晶片製造商進一步設限，涵蓋對象包括 長江存儲、長鑫存儲 以及 中芯國際 等企業及其關聯公司。
根據 FAR Council 草案，受涵蓋半導體產品或服務的定義，包括由上述中國企業設計、生產或提供的半導體產品，以及含有這些半導體元件的商品或相關服務。
這項提案為 2023 財年《國防授權法》（National Defense Authorization Act, NDAA）第 5949 條的修正案。該條文原已對中國晶片企業產品設下限制，而此次修正進一步明確規範，限制將適用於價值 15,000 美元以下的產品，包括現成（off-the-shelf）商品，以及商用 IT 與電信服務。
此外，FAR Council 也建議對目前已在官方體系內使用的電子產品進行全面審查。不過，若相關產品在 2027 年 12 月 23 日之前完成採購，則不受新規範影響。
目前該修正案仍開放公眾意見徵詢至 4 月 20 日，意味著相關限制尚未正式定案。但整體方向顯示，美方有意進一步降低中國半導體元件在政府終端設備中的比重。
在消費性電子領域，近來因 DRAM 供應吃緊，三大記憶體供應商產能多數轉向企業市場，使消費產品供應空間受到擠壓。在此背景下，部分中國廠商原被視為潛在替代來源。
然而，若政府層級全面禁止採用中國記憶體晶片，筆電、手機與 PC 製造商在產品設計與供應鏈規劃上，將面臨更高複雜度。特別是在政府市場與商用市場高度重疊的情況下，品牌廠可能傾向統一供應策略，以避免合規風險。
市場曾傳出，部分大型 PC 製造商已與長鑫存儲接觸，探討 DRAM 合作可能性。不過在新法規陰影下，相關合作是否能真正落地，仍有待觀察。
整體而言，若該提案最終通過，美中科技供應鏈的切割趨勢恐將進一步深化，對記憶體產業與全球電子產品布局帶來長期影響。
