Samsung 剛才宣布量產第二代10nm級別（1y-nm）的8Gb DDR4記憶體顆粒，新的記憶體具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產能可以比初代10nm級別（1x -nm）的高30%，然而價格應該暫時不會降。
新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒採用了先進的專用電路設計技術，性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以後的高頻記憶體要以3600MHz起步了。
目前1y-nm記憶體的生產還沒有用上EUV極紫外光設備，這次用的是高靈敏度細胞數據傳感系統（high-sensitivity cell data sensing system）與空氣墊片（air spacer）方案，前者可以更準確地確定每個單元中儲存的數據，從而顯著提高電路集成度和生產效率，後者是在位線周圍佈置獨特的空氣墊片，這樣可以顯著降低寄生電容。
現在1y-nm DDR4記憶體模組已經完成了與CPU廠商的相關驗證工作，接下來計劃於全球IT客戶合作，開發下一代計算系統，隨著1y-nm記憶體投產所帶來的技術儲備，Samsung 可以加速下一代記憶體產品 DDR5、HBM3、LPDDR5 以及 GDDR6 上的研發，進一步鞏固在儲存市場上的地位。
來源：http://www.expreview.com/58363.html
新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒採用了先進的專用電路設計技術，性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以後的高頻記憶體要以3600MHz起步了。
目前1y-nm記憶體的生產還沒有用上EUV極紫外光設備，這次用的是高靈敏度細胞數據傳感系統（high-sensitivity cell data sensing system）與空氣墊片（air spacer）方案，前者可以更準確地確定每個單元中儲存的數據，從而顯著提高電路集成度和生產效率，後者是在位線周圍佈置獨特的空氣墊片，這樣可以顯著降低寄生電容。
現在1y-nm DDR4記憶體模組已經完成了與CPU廠商的相關驗證工作，接下來計劃於全球IT客戶合作，開發下一代計算系統，隨著1y-nm記憶體投產所帶來的技術儲備，Samsung 可以加速下一代記憶體產品 DDR5、HBM3、LPDDR5 以及 GDDR6 上的研發，進一步鞏固在儲存市場上的地位。
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