記憶體 Samsung 第二代10nm 8Gb DDR4投產, 3600MHz起跳

soothepain

full loading
已加入
9/17/03
訊息
19,362
互動分數
1,863
點數
113
網站
www.coolaler.com
Samsung 剛才宣布量產第二代10nm級別(1y-nm)的8Gb DDR4記憶體顆粒,新的記憶體具備更高的頻率與更低的供貨,以及更小的尺寸,產能可以比初代10nm級別(1x -nm)的高30%,然而價格應該暫時不會降。

Samsung_ddr_1.jpg


新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒採用了先進的專用電路設計技術,性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%,它能夠在3600MHz下運行,而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz,也就是說以後的高頻記憶體要以3600MHz起步了。

目前1y-nm記憶體的生產還沒有用上EUV極紫外光設備,這次用的是高靈敏度細胞數據傳感系統(high-sensitivity cell data sensing system)與空氣墊片(air spacer)方案,前者可以更準確地確定每個單元中儲存的數據,從而顯著提高電路集成度和生產效率,後者是在位線周圍佈置獨特的空氣墊片,這樣可以顯著降低寄生電容。

Samsung_ddr_2.jpg


現在1y-nm DDR4記憶體模組已經完成了與CPU廠商的相關驗證工作,接下來計劃於全球IT客戶合作,開發下一代計算系統,隨著1y-nm記憶體投產所帶來的技術儲備,Samsung 可以加速下一代記憶體產品 DDR5、HBM3、LPDDR5 以及 GDDR6 上的研發,進一步鞏固在儲存市場上的地位。







來源:http://www.expreview.com/58363.html
 
▌延伸閱讀