![Kioxia Twin BiCS Flash (3).jpg Kioxia Twin BiCS Flash (3).jpg](https://www.ocunion.com/data/2019/12/4017_1c552b470a80b5804c64f1934b5fd752.jpg)
Kioxia(原 Toshiba Memory)稍早於 IEEE International Electron Devices Meeting 上宣布,其 3D NAND 發展邁向新里程碑,已開發出 Twin BiCS Flash 快閃記憶體技術。Twin BiCS Flash 是因應 3D NAND 堆疊發展競爭而生,因為 96 層製品已經開始普遍應用,而 2020 年更將進入 128 層世代。要持續堆疊層數以確保競爭力和獲利,使得製造難度與生產良率更具挑戰性,Kioxia 早早開始尋求突破。
![Kioxia Twin BiCS Flash (1).jpg Kioxia Twin BiCS Flash (1).jpg](https://www.ocunion.com/data/2019/12/4011_dfabad0f2a86190ac30918a4eaca3fd6.jpg)
有別於常規的圓形電荷儲存(Charge Trap)架構技術,Kioxia 藉由分割閘極以減小單元尺寸這途徑,新開發出特殊的半圓形浮動閘極(Floating Gate),當前命名為 Twin BiCS Flash。如設計此能夠縮小單元尺寸,同時也可以擁有更多位元,兩者都能夠實現儲存密度提升。Kioxia 指出經實證,Twin BiCS Flash 除了有利於 QLC(4bit / cell)運用,更是邁向 PLC(5bit / cell)發展可行的候選方案。
![Kioxia Twin BiCS Flash (2).jpg Kioxia Twin BiCS Flash (2).jpg](https://www.ocunion.com/data/2019/12/4013_1236cc6b0f4da0080e3aff5ebc0ad85f.jpg)