記憶體 Samsung 採 MSAP 技術開發 DDR6 記憶體, 速度達 17000Mbps

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目前 PC 在 Intel 12代開始已有 DDR5 記憶體,不過目前 DDR4 到 DDR5 仍是過渡期,絕大部分用戶都還在使用 DDR4,而 AMD 甚至還需要等上幾個月,才會有支援 DDR5 記憶體的 AM5 平台。雖然 DDR5 的普及還有一段時間,但下一代的 DDR6 已經開始了。

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據報導,在近期的一次研討會上,Samsung 測試和系統封裝(TSP)副總裁 Younggwan Ko 透露,隨著未來記憶體性能的擴展,封裝技術需要不斷發展,期間也證實了 DDR6 記憶體已處於早期開發階段,將採用 MSAP 封裝技術,以提高 PCB 的高頻性能。

事實上,Samsung 的競爭對手 SK Hynix 已在 DDR5 記憶體上開始應用 MSAP 封裝技術,只不過 Samsung 打算從 DDR6 記憶體開始。MSAP 封裝技術可允許 DRAM 製造商創建電路更為精細的記憶體模組,從而有更好的連接性能,以達到更高的傳輸速度。此外,MSAP 封裝技術不但能加強電路的連接,還能讓 DDR6 記憶體的 PCB 層數增加。

Younggwan Ko 表示,隨著儲存晶片容量和速度的提升,封裝設計也必須適應新一代產品的需求,層數的增加和製程變得複雜,使得記憶體封裝市場的規模有望實現成倍的增長。Samsung 預計 DDR6 記憶體會在2024年完成設計,正式商用要等到2025年之後,傳聞數據傳輸速度按照 JEDEC 規範將達到 12800 Mbps,超頻後可達到 17000 Mbps 或以上。

在扇出型封裝方面,Samsung 同時推出了扇出-晶圓級封裝(FO-WLP)和扇出-面板級封裝(FO-PLP),後者在12英吋晶圓中更具優勢,Samsung 正考慮將其用於更大的晶片。據了解,Samsung 在今年5月份已經將扇出-面板級封裝用戶 Google Pixel 系列手機所使用的 SoC 上,這意味著該技術已逐漸成熟。





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