記憶體 SK Hynix 年底量產 DDR5 , 最高8400MHz、單條128GB

soothepain

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SK Hynix 在今年 CES 2020 上曾經展出過64GB的 DDR5-4800,帶寬和容量都要比現在的 DDR4 高出不少,現在 SK Hynix 宣布計畫將提供時脈達到8400MHz的 DDR5 記憶體,時脈相當之高,單顆最大密度64Gb,並且會帶有片上 ECC 功能,工作電壓僅1.1V。

SK_hynix_DDR5_1.jpg


SK Hynix 現在公佈了關於 DDR5 記憶體的最新資料,根據他們提供的規格表顯示,DDR5 記憶體的工作時脈從3200MHz到8400MHz,這個範圍相當之廣,現在 DDR4 記憶體主要時脈是在1600MHz到3200MHz,部分廠商推出的超頻版記憶體能到5000MHz,不過時脈超過4000MHz的 DDR4 是相當至少的。

SK_hynix_DDR5_2.png


容量方面,現在 DDR4 單顆最大是16Gb,而 DDR5 則有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb這五種不同的密度,由於24Gb顆粒的存在,所以單條24GB或者48GB的記憶體也是能做出來的,使用64Gb顆粒的時候,單面8顆就能組成64GB的容量,雙面16顆可組建單條128GB的 DDR5 記憶體。

現在的 DDR4 記憶體要實現 ECC 糾錯需要增加額外的晶片,但 DDR5 上就不需要了,ECC 糾錯功能已經整合到了每顆 DRAM 裡面,這有望降低記憶體的總體成本,另外 DFE 反饋均衡電路也被整合到 DRAM 內部,它可消除高頻記憶體工作時的噪聲,這將大大提高每個引腳的速度。

DDR5 記憶體有32個儲存區,劃分成8個儲存區組,而 DDR4 記憶體則有16個儲存區和4個儲存區組,這使得 DDR5 記憶體的帶寬和IO效能翻了一倍。

SK_hynix_DDR5_3.png


DDR5 的 VDD 和 VPP 電壓從 DDR4 時代的 1.2V/2.5V 降低到了 1.1V/1.8V,這使得整體功耗下降了20%,再加上反饋均衡電路的降噪,可進一步降低高頻下的發熱量。

SK Hynix 表示今年內 DDR5 記憶體將會量產,初期以10nm級16Gb為主,單根容量最大32GB,不過後續肯定會有更高的容量出現。現在 DDR5 記憶體的研製工作已經基本完成了,已經開始著手預研 DDR6 記憶體,當然現在 DDR6 記憶體的標準還沒出來,不負此前有消息指出 SK Hynix 認為 DDR6的時脈還會進一步翻倍,預計可達12Gbps。








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Angus想吃牛

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一般的玩家應該是用不到這麼高的規格~
 

relent

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便宜就行…開了一堆規格,但如果天價也是無用
 
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