繼今年六月推出速率達到了 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM 後,Micron 在近日公佈了基於 32Gb 單晶片的 128GB DDR5 RDIMM 記憶體,速度進一步提升至 8000MT/s,可以更能滿足資料中心和雲端環境中各種任務應用的效能需求,包括人工智慧 ( AI )、記憶體資料庫 ( IMBD ) 以及各種需要多核心多執行緒計數的生產力場景。
此款 128GB DDR5 RDIMM 記憶體採用 Micron 業界領先的 1β(1-beta)技術,與競爭對手的 3DS 矽通孔(TSV)產品相比,具備以下特點:
- 位元密度提高 45% 以上
- 能源效率提升高達 24%
- 延遲最多降低 16%
- AI 訓練性能提升高達 28%
同時,Micron 32Gb DDR5 記憶體解決方案採用全新的晶片架構,以實現業界領先的陣列效率和最密集的單晶片 DRAM。電壓域和刷新管理功能有助於優化電力傳輸網絡,提供市場急需的能源效率表現。此外,Micron 也優化了晶片尺寸的長寬比,進而提高 32Gb 大容量 DRAM 晶片的製造效率。Micron 的128GB RDIMM 計劃於2024年在開始推出 4800MT/s、5600MT/s 和 6400MT/s 的型號,而 8000MT/s 的型號則會稍晚公布。
來源
![Micron_DDR5.jpg](https://www.coolaler.com.tw/image/news/23/11/Micron_DDR5.jpg)
此款 128GB DDR5 RDIMM 記憶體採用 Micron 業界領先的 1β(1-beta)技術,與競爭對手的 3DS 矽通孔(TSV)產品相比,具備以下特點:
- 位元密度提高 45% 以上
- 能源效率提升高達 24%
- 延遲最多降低 16%
- AI 訓練性能提升高達 28%
同時,Micron 32Gb DDR5 記憶體解決方案採用全新的晶片架構,以實現業界領先的陣列效率和最密集的單晶片 DRAM。電壓域和刷新管理功能有助於優化電力傳輸網絡,提供市場急需的能源效率表現。此外,Micron 也優化了晶片尺寸的長寬比,進而提高 32Gb 大容量 DRAM 晶片的製造效率。Micron 的128GB RDIMM 計劃於2024年在開始推出 4800MT/s、5600MT/s 和 6400MT/s 的型號,而 8000MT/s 的型號則會稍晚公布。
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