記憶體 Samsung 推出業界首款第三代 HBM2E 記憶體

Samsung 昨天宣布推出業界首款第三代 HBM2E 記憶體,新的 HBM2E 記憶體由8顆16Gb的 DRAM 顆粒堆疊而成,單封裝可以達到16GB的總容量,並且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。



Samsung HBM2E 中可以堆疊8個 1y nm 製程的16Gb DRAM 顆粒,內部連接使用的是 TSV 技術,不過8層這個數量並不是 Samsung 目前能夠做到的極限,在今年十月份的時候他們就已經宣布了12層 3D-TSV 封裝製程,未來肯定可以看到更大容量的單顆 HBM 記憶體。

HBM2E 是 HBM2 的升級版標準,由 JEDEC 在2018年標準化,官方標準中它的單顆堆疊帶寬為307GB/s。而 Samsung 這次推出的新 HBM2E 在帶寬上面有比較明顯的提升,在預設的3.2Gbps下,單顆 HBM2E 就可以提供高達410GB/s的帶寬,另外 Samsung 內部測試中新的 HBM2E 可以達到的最高傳輸速率為4.2Gbps,此時的帶寬高達538GB/s,比上代產品高出75%。

實際上 Samsung 在去年三月份就已經發布了這款產品,不過這次是宣布它即將要進入量產。新的 HBM2E 預計將於今年上半年進入量產環節,他們也會繼續供應先前的第二代產品。目前消費級顯卡普遍放棄了高成本的 HBM 記憶體,選擇了成本更低但帶寬也足夠用的 GDDR6,不過在高效能計算市場中,HBM 已經佔據了很大的市場份額了,還有各種 AI 加速晶片也需要較高的記憶體帶寬,像 NVIDIA 的計算卡就使用了 HBM2 記憶體,新的 HBM2E 將會緩解記憶體方面的瓶頸,讓計算性能不再受限於記憶體。







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