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三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣佈已經批量投產全球第一個採用3D垂直設計的NAND快閃記憶體“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經成了潮流，處理器、記憶體什麼的都要堆起來。
三星的V-NAND單顆晶片容量128Gb(16GB)，內部採用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲快閃記憶體技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。
三星稱，這種新快閃記憶體的拓展能力是普通2xnm平面型快閃記憶體的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm NAND快閃記憶體的兩倍。Tb(128GB)級別的快閃記憶體晶片指日可待。
早在2006年，三星就研發了CTF技術。在這種結構的NAND快閃記憶體中，電荷被臨時存放在氮化矽(SiN)材料製成的非導電層上，而不是用浮動柵極阻斷相鄰單元的干擾。現在，三星又成功把這種結構推向了三維層面。
此外，三星自己研發的垂直互連工藝可以將最多24個單元層堆疊在一起，並且使用特殊的蝕刻技術從最高層到最底層打孔，實現各個層的電子互連。
三星還驕傲地披露，經過十多年的研發，他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利。
三星的V-NAND快閃記憶體廣泛適用於消費電子和企業級應用，包括嵌入式NAND存儲、固態硬碟。
資料來源~
三星的V-NAND單顆晶片容量128Gb(16GB)，內部採用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲快閃記憶體技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。
三星稱，這種新快閃記憶體的拓展能力是普通2xnm平面型快閃記憶體的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm NAND快閃記憶體的兩倍。Tb(128GB)級別的快閃記憶體晶片指日可待。
早在2006年，三星就研發了CTF技術。在這種結構的NAND快閃記憶體中，電荷被臨時存放在氮化矽(SiN)材料製成的非導電層上，而不是用浮動柵極阻斷相鄰單元的干擾。現在，三星又成功把這種結構推向了三維層面。
此外，三星自己研發的垂直互連工藝可以將最多24個單元層堆疊在一起，並且使用特殊的蝕刻技術從最高層到最底層打孔，實現各個層的電子互連。
三星還驕傲地披露，經過十多年的研發，他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利。
三星的V-NAND快閃記憶體廣泛適用於消費電子和企業級應用，包括嵌入式NAND存儲、固態硬碟。
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