記憶體 Samsung 表示下一代 DDR6 可到12800Mbps , GDDR7 32Gbps

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最近國外媒體分享了2021年 Samsung 技術日的一些公開資訊,透漏了一些未來記憶體的技術以及路線圖,不過簡報照片多數是不能公開的,但仍有一些相關資訊分享。

Samsung-DDR5.jpg


DDR5 記憶體目前才剛隨著 Intel 12代進入市場,不過隨即缺貨,基本上要到真的主流且多數平台使用預計要到2023年。雖還有兩年時間,但 Samsung 已經談到了下一代的 DDR6 記憶體,將會帶來兩倍的速度與帶寬。

DDR6 標準還未被 JEDEC 正式化,不過預設規格可能會在 12800 Mbit/s,但這只是初階開發階段,未來超頻記憶體模組可能會達到 17000 Mbit/s。

Samsung-DDR6.png


DDR6 每個模組將會有4個通道,是 DDR5 的兩倍,記憶體 bank 數量會增加到64個,是 DDR4 標準的四倍。

關於 GDDR6 以及之後標準的規格 Samsung 也透漏了一些資訊,Samsung 正在開發 GDDR6+ 的標準,提供高達 24Gbps 的速度,相比目前 GDDR6 提供的 18Gbps 要提升33%,該標準將會採用 Samsung 1z nm 製程。

另外 GDDR7 標準也在路線圖上,不過目前沒有任何可用日期,GDDR7 將會增加到 32Gbps 的速度,並有即時錯誤保護功能,除此之外也沒有更多的細節。

來源消息還稱 Samsung 將會在2022年第二季開始生產 HBM3 記憶體。






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