請問RAM的CL值互相之間有一定的關係嗎?
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whitehouse
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希望能幫助到你 ;shakehand
例子: 4-4-4-8
CAS# Latency: 該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的第1個參數, 這個參數控制記憶體接收到一條資料讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次記憶體突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。這個參數越小，則記憶體的速度越快。必須注意部分記憶體不能運行在較低的延遲，可能會丟失資料，因此在提醒大家把CAS延遲設為3或4的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使記憶體運行在更高的頻率，所以需要對記憶體超頻時，應該試著提高CAS延遲。
RAS# TO CAS$ Delay: 該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的第2個參數，即第2個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD、tRTC)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，性能越好。
RAS# Precharge: 該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的第3個參數，即第3個4。DRAM RAS# Precharge (也被描述為：tRP、Row Precharge Timing、Precharge to active)，表示"記憶體行位址控制器預充電時間"，預充電參數越小則記憶體讀寫速度就越快。
RAS# Activate to precharge: 該值就是該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的最後一個參數。 (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time) 這個選項控制記憶體最小的行位址啟動時鐘週期數（ tRAS ），它表示一個行位址從啟動到復位的時間。tRAS 過長，會嚴重影響性能。減少 tRAS 可以使得被啟動的行位址更快的復位，然而， tRAS 太短也會造成不夠時間完成一次突發傳送，資料會丟失或者覆蓋。簡單來說，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高記憶體的穩定性。在調整tRAS值的時候，需要顧及tCL值和tRCD值這個參數，這裏有個公式可以供給大家參考。tRAS = tCL + tRCD + 2（舉例，當tCL值設置為5、tRCD為5的時候，那麼這時tRAS的最佳設定值為12）由於部分主板廠商並沒有提供tras值全部數值，所以大家要儘量調低tras值的時候。不過一般只要是10以下的tRAS不論如何設置其性能和穩定性都不會有太大的變化，事實上從DDR起它早已經變得越來越不重要。
DRAM Write Recovery Time (tWR): DRAM Write Recovery Time是“寫恢復時間”， 該值說明在一個啟動的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘週期。這段必須的時鐘週期用來確保在預充電發生前，寫緩衝中的資料可以被寫進記憶體單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致資料還未被正確寫入到記憶體單元中，就發生了預充電操作，會導致資料的丟失及損壞。它對記憶體設置影響理論上應該是有一些的，但是對於高頻記憶體來說這種程度會小很多，因此這個項目的延遲也是盡可能的設置得越低越好
DRAM TRFC (tRFC): 描述為RowRefresh Cycle Time（tRFC）,在Memset裏叫做Refresh Cycle time 。這個設定代表在同一bank中刷新一個單獨的行所需的時間。同時還是同一bank中兩次刷新指令的間隔時間，這個數值記憶體廠商總是設置得相當大，可以說大得離譜了，SPD直接設定都是40到60左右，實際可穩定運行的值則在20到30附近。tRFC參數對性能，對延遲，對穩定性均無太大的影響。
DRAM TRRD (tRRD): Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，在Memset 中描述為Act. to Act.Delayed (tRRD) 。此參數表示連續的啟動指令到記憶體行位址的最小間隔時間，也就是預充電時間。延遲越低，表示下一個bank能更快地被啟動，進行讀寫操作。然而，由於需要一定量的資料，太短的延遲會引起連續資料膨脹。(tRRD) 參數對性能，對延遲影響較小，對穩定性影響一般。
Rank Write to Read Delay (tWTR): Write to Read Delay (tWTR) 在Memset 中描述為：Write to Read Delayed(tWTR)表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最後的資料進入讀指令。它設定向DDR2記憶體模組中的同一個單元中，在最後一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘週期。該參數對記憶體帶寬和穩定性影響也很小
Read to Precharge Delay (tRTP) : 內部讀取到預充電命令延遲，Memset中叫做 Read to Precharge(tRTP)
例子: 4-4-4-8
CAS# Latency: 該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的第1個參數, 這個參數控制記憶體接收到一條資料讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次記憶體突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。這個參數越小，則記憶體的速度越快。必須注意部分記憶體不能運行在較低的延遲，可能會丟失資料，因此在提醒大家把CAS延遲設為3或4的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使記憶體運行在更高的頻率，所以需要對記憶體超頻時，應該試著提高CAS延遲。
RAS# TO CAS$ Delay: 該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的第2個參數，即第2個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD、tRTC)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，性能越好。
RAS# Precharge: 該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的第3個參數，即第3個4。DRAM RAS# Precharge (也被描述為：tRP、Row Precharge Timing、Precharge to active)，表示"記憶體行位址控制器預充電時間"，預充電參數越小則記憶體讀寫速度就越快。
RAS# Activate to precharge: 該值就是該值就是“4-4-4-8”記憶體時序參數中的最後一個參數。 (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time) 這個選項控制記憶體最小的行位址啟動時鐘週期數（ tRAS ），它表示一個行位址從啟動到復位的時間。tRAS 過長，會嚴重影響性能。減少 tRAS 可以使得被啟動的行位址更快的復位，然而， tRAS 太短也會造成不夠時間完成一次突發傳送，資料會丟失或者覆蓋。簡單來說，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高記憶體的穩定性。在調整tRAS值的時候，需要顧及tCL值和tRCD值這個參數，這裏有個公式可以供給大家參考。tRAS = tCL + tRCD + 2（舉例，當tCL值設置為5、tRCD為5的時候，那麼這時tRAS的最佳設定值為12）由於部分主板廠商並沒有提供tras值全部數值，所以大家要儘量調低tras值的時候。不過一般只要是10以下的tRAS不論如何設置其性能和穩定性都不會有太大的變化，事實上從DDR起它早已經變得越來越不重要。
DRAM Write Recovery Time (tWR): DRAM Write Recovery Time是“寫恢復時間”， 該值說明在一個啟動的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘週期。這段必須的時鐘週期用來確保在預充電發生前，寫緩衝中的資料可以被寫進記憶體單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致資料還未被正確寫入到記憶體單元中，就發生了預充電操作，會導致資料的丟失及損壞。它對記憶體設置影響理論上應該是有一些的，但是對於高頻記憶體來說這種程度會小很多，因此這個項目的延遲也是盡可能的設置得越低越好
DRAM TRFC (tRFC): 描述為RowRefresh Cycle Time（tRFC）,在Memset裏叫做Refresh Cycle time 。這個設定代表在同一bank中刷新一個單獨的行所需的時間。同時還是同一bank中兩次刷新指令的間隔時間，這個數值記憶體廠商總是設置得相當大，可以說大得離譜了，SPD直接設定都是40到60左右，實際可穩定運行的值則在20到30附近。tRFC參數對性能，對延遲，對穩定性均無太大的影響。
DRAM TRRD (tRRD): Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，在Memset 中描述為Act. to Act.Delayed (tRRD) 。此參數表示連續的啟動指令到記憶體行位址的最小間隔時間，也就是預充電時間。延遲越低，表示下一個bank能更快地被啟動，進行讀寫操作。然而，由於需要一定量的資料，太短的延遲會引起連續資料膨脹。(tRRD) 參數對性能，對延遲影響較小，對穩定性影響一般。
Rank Write to Read Delay (tWTR): Write to Read Delay (tWTR) 在Memset 中描述為：Write to Read Delayed(tWTR)表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最後的資料進入讀指令。它設定向DDR2記憶體模組中的同一個單元中，在最後一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘週期。該參數對記憶體帶寬和穩定性影響也很小
Read to Precharge Delay (tRTP) : 內部讀取到預充電命令延遲，Memset中叫做 Read to Precharge(tRTP)
