硬超顯卡續篇> 技嘉GTX 780 Ti GHz Edition 馬上發啦
- 主題發起人 joemax
- 開始日期
哈，我一直沒搞懂為啥有人會不清楚這硬改在做什麼。可能要畫一個結構圖來說明。
下面是一般供電的結構。基本上是靠控制的道理。電控IC裡面的所謂電壓比較器是重點部份。
電壓比較器會推動那個MOS開關產生GPU需要的VCORE，而且隨時維持VCORE相等於GPU要求的SVID電壓值。
如果GPU跑的兇，VCORE會想掉，電壓比較器會發現VCORE掉，就推MOS多一點，讓VCORE回到SVID值。這些動作都是瞬間達成。
那FB電阻在那個控制回路裡的角色是啥? 不太容易一句話說清。簡單的說，就是讓剛才那個動作，優雅且敏捷的作到。
FB電阻如果偏原設計太多，控制的動作可能變成過度反應或反應太遲鈍，VCORE電壓都會不穩。這是題外話，無關我們要說的。
那我們為了調整GPU的VCORE電壓，這篇用的方式可參考下圖。在FB電阻接到電壓比較器的地方，多擺一個分壓的電阻(即微調電阻器)接到地端。
很多硬改老手可能記得以前我們用6B鉛筆在板子上塗線。就是在FB接點畫線通地端。
意思一樣。目的是讓電控IC裡那個比較器看到比VCORE低一點的電壓。
比較器看到回來測到的電壓比SVID要的標準值低，就加緊推動DrMOS，就推出高一點的電壓到VCORE去，於是嘛我們硬改的目標就大功告成。
所增加的VCORE是SVID乘上一個比例。這個比例就是 (原FB電阻 + 硬改加的微調電阻) 除以 (硬改加的微調電阻) 。
舉個例子。這個板子用的FB電阻是1K歐(在PO的第四張圖中的R42就是它。可用三用電表來量電阻多少，也沒必要量)。
我們微調電阻調到6.75K歐姆，增壓的比例就是 (1K+6.75K)/6.75K = 1.148。
所以GPU指示IC提供SVID值是1.15伏，供電IC就會出到1.15 乘1.148倍 = 1.32伏送到GPU的VCORE去。
如果把微調電阻轉到最大200K地方，那個比例就接近一。等於原貌不增壓一樣。
1.212伏的限制是從SVID來的，KEPLER設計SVID就是不能高過1.2125伏。我們硬改沒有碰SVID，所以也就沒有那個限制。
軟體只能看數位的東西如VID它看。類比的東西如VCORE到底多少要靠電表量取才知道。沒接電表，不可做硬改，太危險了。
剩下倒是有一個"過電壓保護"的限制。一般控電IC都把過電壓啟動點放在SVID之上某一個值。如這板子默認是當下的VID加上300mV為限。
如需要，可用SMBus指令經MSIAfterburner去改更低，但不能改更高。
上次那篇講GTX 680的，是用那顆RT8802 IC特別提供的OFFSET接腳去硬改加電壓。後來的IC多不提供這種接腳。所以就靠FB接腳啦。
靠FB能不能成功不是打包票的。如原廠FB電阻用的太小(這裡用1K是很好硬改的)，那就不一定加調電阻會有穩定的VCORE。
下面是一般供電的結構。基本上是靠控制的道理。電控IC裡面的所謂電壓比較器是重點部份。
電壓比較器會推動那個MOS開關產生GPU需要的VCORE，而且隨時維持VCORE相等於GPU要求的SVID電壓值。
如果GPU跑的兇，VCORE會想掉，電壓比較器會發現VCORE掉，就推MOS多一點，讓VCORE回到SVID值。這些動作都是瞬間達成。
那FB電阻在那個控制回路裡的角色是啥? 不太容易一句話說清。簡單的說，就是讓剛才那個動作，優雅且敏捷的作到。
FB電阻如果偏原設計太多，控制的動作可能變成過度反應或反應太遲鈍，VCORE電壓都會不穩。這是題外話，無關我們要說的。
那我們為了調整GPU的VCORE電壓，這篇用的方式可參考下圖。在FB電阻接到電壓比較器的地方，多擺一個分壓的電阻(即微調電阻器)接到地端。
很多硬改老手可能記得以前我們用6B鉛筆在板子上塗線。就是在FB接點畫線通地端。
意思一樣。目的是讓電控IC裡那個比較器看到比VCORE低一點的電壓。
比較器看到回來測到的電壓比SVID要的標準值低，就加緊推動DrMOS，就推出高一點的電壓到VCORE去，於是嘛我們硬改的目標就大功告成。
所增加的VCORE是SVID乘上一個比例。這個比例就是 (原FB電阻 + 硬改加的微調電阻) 除以 (硬改加的微調電阻) 。
舉個例子。這個板子用的FB電阻是1K歐(在PO的第四張圖中的R42就是它。可用三用電表來量電阻多少，也沒必要量)。
我們微調電阻調到6.75K歐姆，增壓的比例就是 (1K+6.75K)/6.75K = 1.148。
所以GPU指示IC提供SVID值是1.15伏，供電IC就會出到1.15 乘1.148倍 = 1.32伏送到GPU的VCORE去。
如果把微調電阻轉到最大200K地方，那個比例就接近一。等於原貌不增壓一樣。
1.212伏的限制是從SVID來的，KEPLER設計SVID就是不能高過1.2125伏。我們硬改沒有碰SVID，所以也就沒有那個限制。
軟體只能看數位的東西如VID它看。類比的東西如VCORE到底多少要靠電表量取才知道。沒接電表，不可做硬改，太危險了。
剩下倒是有一個"過電壓保護"的限制。一般控電IC都把過電壓啟動點放在SVID之上某一個值。如這板子默認是當下的VID加上300mV為限。
如需要，可用SMBus指令經MSIAfterburner去改更低，但不能改更高。
上次那篇講GTX 680的，是用那顆RT8802 IC特別提供的OFFSET接腳去硬改加電壓。後來的IC多不提供這種接腳。所以就靠FB接腳啦。
靠FB能不能成功不是打包票的。如原廠FB電阻用的太小(這裡用1K是很好硬改的)，那就不一定加調電阻會有穩定的VCORE。
最後編輯：
我回頭翻了第一頁，原來第一頁就有講啦，我之前看只看到改功耗那段，沒注意到上面那段是改電壓讀值，之前討論一直以為你是只有改功耗+軟體offset電壓的情況
拍謝讓你花時間弄圖解釋了;rr;
這樣子軟體加壓就沒啥必要了吧
拍謝讓你花時間弄圖解釋了;rr;
這樣子軟體加壓就沒啥必要了吧
哈，我一直沒搞懂為啥有人會不清楚這硬改在做什麼。可能要畫一個結構圖來說明。
下面是一般供電的結構。基本上是靠控制的道理。電控IC裡面的所謂電壓比較器是重點部份。
電壓比較器會推動那個MOS開關產生GPU需要的VCORE，而且隨時維持VCORE相等於GPU要求的SVID電壓值。
如果GPU跑的兇，VCORE會想掉，電壓比較器會發現VCORE掉，就推MOS多一點，讓VCORE回到SVID值。這些動作都是瞬間達成。
那FB電阻在那個控制回路裡的角色是啥? 不太容易一句話說清。簡單的說，就是讓剛才那個動作，優雅且敏捷的作到。
FB電阻如果偏原設計太多，控制的動作可能變成過度反應或反應太遲鈍，VCORE電壓都會不穩。這是題外話，無關我們要說的。
那我們為了調整GPU的VCORE電壓，這篇用的方式可參考下圖。在FB電阻接到電壓比較器的地方，多擺一個分壓的電阻(即微調電阻器)接到地端。
很多硬改老手可能記得以前我們用6B鉛筆在板子上塗線。就是在FB接點畫線通地端。
意思一樣。目的是讓電控IC裡那個比較器看到比VCORE低一點的電壓。
比較器看到回來測到的電壓比SVID要的標準值低，就加緊推動DrMOS，就推出高一點的電壓到VCORE去，於是嘛我們硬改的目標就大功告成。
所增加的VCORE是SVID乘上一個比例。這個比例就是 (原FB電阻 + 硬改加的微調電阻) 除以 (硬改加的微調電阻) 。
舉個例子。這個板子用的FB電阻是1K歐(在PO的第四張圖中的R42就是它。可用三用電表來量電阻多少，也沒必要量)。
我們微調電阻調到6.75K歐姆，增壓的比例就是 (1K+6.75K)/6.75K = 1.148。
所以GPU指示IC提供SVID值是1.15伏，供電IC就會出到1.15 乘1.148倍 = 1.32伏送到GPU的VCORE去。
如果把微調電阻轉到最大200K地方，那個比例就接近一。等於原貌不增壓一樣。
1.212伏的限制是從SVID來的，KEPLER設計SVID就是不能高過1.2125伏。我們硬改沒有碰SVID，所以也就沒有那個限制。
軟體只能看數位的東西如VID它看。類比的東西如VCORE到底多少要靠電表量取才知道。沒接電表，不可做硬改，太危險了。
剩下倒是有一個"過電壓保護"的限制。一般控電IC都把過電壓啟動點放在SVID之上某一個值。如這板子默認是當下的VID加上300mV為限。
如需要，可用SMBus指令經MSIAfterburner去改更低，但不能改更高。
上次那篇講GTX 680的，是用那顆RT8802 IC特別提供的OFFSET接腳去硬改加電壓。後來的IC多不提供這種接腳。所以就靠FB接腳啦。
靠FB能不能成功不是打包票的。如原廠FB電阻用的太小(這裡用1K是很好硬改的)，那就不一定加調電阻會有穩定的VCORE。
gojan0310
高級會員
- 已加入
- 10/3/07
- 訊息
- 523
- 互動分數
- 0
- 點數
- 16
- 年齡
- 45
謝謝您的錯愛啦;x;
雞排這次幹的不錯。請注意，他們所有超頻開普肋都用上雙8PIN，沒有後顧之憂。
最熱的是供電部份。但正面不能再加工，原廠已經作好DrMOS的散熱。
於是我在背面加了傳熱墊，把線路板背面的高熱傳到鋁材背板。
手摸就更燙手，估有70度以上。代表靠板材背面傳熱還是有效的。
如嫌加傳熱墊麻煩，就直接放一個7 ~ 8公分扇在鋁背板對着背板吹，會很有幫助的。
例如Artic出的8公分 F8 PRO TC 有一條感應溫度線可貼鋁背板，風聲就不吵。不然就找低中速的。
雞排這張780 Ti GHz版開賣時有做過變動。和各網壇上看到的測試樣品用料稍有不同。供電的貼片電感從0.45u降到0.15u。
是大變。也是變得好。代表電感的供電流增加很多。每顆從35增到50多安培。
相配合的是供電IC的開關速度也提高。也是好事，對效率和熱耗的負面影嚮也還不大。
DrMOS從英飛凌的顆粒變成瑞薩的，這個比較不解。原英飛凌的功率和電流能力還稍高一些。
但這裡實際跑過看來，變成瑞薩的也還OK，增了那麼多功耗都照吃不誤。
估計不硬改的話，軟體加壓BOOST到 1200和1300MHz 間是可以的，要看跑的是甚麼。(注意ASIC太低拿去退，消費者是King)
它們唯一常為大家所"樂道"的是供電端傳來的高音頻共震噪音。他們常有比別家的大聲。
尤其跑侦數很高的時候。但是...
它們越作越小聲了，有改進，別幾家的都越作越大聲了。目前有半斤八兩的樣子。;tongue;
雞排這次幹的不錯。請注意，他們所有超頻開普肋都用上雙8PIN，沒有後顧之憂。
最熱的是供電部份。但正面不能再加工，原廠已經作好DrMOS的散熱。
於是我在背面加了傳熱墊，把線路板背面的高熱傳到鋁材背板。
手摸就更燙手，估有70度以上。代表靠板材背面傳熱還是有效的。
如嫌加傳熱墊麻煩，就直接放一個7 ~ 8公分扇在鋁背板對着背板吹，會很有幫助的。
例如Artic出的8公分 F8 PRO TC 有一條感應溫度線可貼鋁背板，風聲就不吵。不然就找低中速的。
雞排這張780 Ti GHz版開賣時有做過變動。和各網壇上看到的測試樣品用料稍有不同。供電的貼片電感從0.45u降到0.15u。
是大變。也是變得好。代表電感的供電流增加很多。每顆從35增到50多安培。
相配合的是供電IC的開關速度也提高。也是好事，對效率和熱耗的負面影嚮也還不大。
DrMOS從英飛凌的顆粒變成瑞薩的，這個比較不解。原英飛凌的功率和電流能力還稍高一些。
但這裡實際跑過看來，變成瑞薩的也還OK，增了那麼多功耗都照吃不誤。
估計不硬改的話，軟體加壓BOOST到 1200和1300MHz 間是可以的，要看跑的是甚麼。(注意ASIC太低拿去退，消費者是King)
它們唯一常為大家所"樂道"的是供電端傳來的高音頻共震噪音。他們常有比別家的大聲。
尤其跑侦數很高的時候。但是...
它們越作越小聲了，有改進，別幾家的都越作越大聲了。目前有半斤八兩的樣子。;tongue;
