DDR3跟DDR2差別多了，新增了更為精進進的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。CWD是作為寫入延遲之用，Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3 SDRAM記憶體顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式，ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能，新增這個線路腳位提供了ODCE（On Die Calibration Engline）用來校準ODT（On Die Termination）內部中斷電阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可程式化溫度控制記憶體時脈功能，SRT的加入讓記憶體顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優化，可以說在記憶體內，就做了電源管理的功能，同時讓記憶體顆粒的穩定度也大為提升，確保記憶體顆粒不致於工作時脈過高導致燒毀的狀況，同時DDR3 SDRAM還加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以說針對整個記憶體Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。
突發長度（BL，Burst Length）也不同了，由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可透過A12位址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
