記憶體 美光發布速度、容量傲視業界的高頻寬 HBM 記憶體

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推動生成式AI創新

採用 1β 製程節點,率先業界推出第二代 8 層堆疊 24GB HBM3

實現 1.2TB/s 以上頻寬及卓越功耗效率

美光科技(Nasdaq: MU)宣布推出業界首款第二代 8 層堆疊(8-High)24GB HBM3,並於今日開始送樣。此產品頻寬達 1.2TB/s 以上,每腳位傳輸速率超過 9.2Gb/s,較目前市面上的 HBM3 解決方案高出 50%。此外,美光第二代 HBM3 的每瓦效能較前幾代產品提升 2.5 倍,刷新 AI 數據中心的關鍵性能、容量及功耗指標。這些改進縮短了業界訓練 GPT-4 等大型語言模型及其更高階版本所需時間,幫助 AI 推論所需的基礎硬體架構發揮最佳功效,並提供卓越的總體擁有成本(TCO)。

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奠基於先進的 1β DRAM 製程節點,美光領先業界的 HBM 解決方案能在業界標準封裝尺寸中,將24GB的晶粒組裝為8層高度的立方體。美光 12 層堆疊(12-High)36GB HBM3 亦將於 2024 年第一季開始送樣。透過此堆疊高度,美光可提供較競品解決方案高出 50% 的容量。美光第二代 HBM3 性能功耗比和每腳位傳輸速率的改善,對因應當前 AI 資料中心的高功耗需求而言至關重要。美光提供較現行 HBM3 解決方案多出一倍的直通矽晶穿孔(TSV)數量,又以五倍金屬密度減少熱阻抗,並採用高能效資料路徑設計,實現功耗的改善。

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身為 2.5D/3D 堆疊和先進封裝技術的領導者,美光很榮幸能成為台積電 3DFabric 聯盟的合作夥伴,攜手塑造半導體和系統創新的未來。在第二代 HBM3 產品的研發中,我們與台積電的合作為順利導入和整合 AI 及高效能運算設計應用的運算系統奠定了堅實基礎。台積電已收到美光第二代 HBM3 樣品,並正與我們密切合作,以進行進一步的評估和測試,從而助力客戶的次世代高效能運算應用創新。

在生成式AI方面,美光第二代 HBM3 亦能符合多模態數兆參數AI模型所需。每組堆疊24GB的容量、大於9.2Gbps的每腳位傳輸速率除了能減少大型語言模型 30% 以上的訓練時間,進而降低總體擁有成本外,也能大幅提升每日查詢次數,讓訓練完成的模型在使用時更有效率。不僅如此,美光第二代 HBM3 傲視業界的每瓦效能也替現代 AI 資料中心扎實省下營運費用:若以裝設1000萬個GPU計算,每組堆疊節能5瓦,預計將能在五年內省下多達 5.5 億美元的營運成本。

美光副總裁暨運算產品事業群總經理 Praveen Vaidyanathan表示:「美光第二代 HBM3 的研發重點,在於為客戶及業界提供卓越的 AI 及高效能運算解決方案。我們所考慮的一項重要標準,就是第二代 HBM3 產品能否輕鬆與客戶平臺整合。對此,記憶體內建的自我測試(MBIST)不僅可徹底程式化,還能以規格中的最高每腳位傳輸速率進行測試,有助於改善與客戶的測試能力,提升協作效率,並縮短上市時間。」

NVIDIA 超大規模與高效能運算副總裁 Ian Buck 表示:「生成式 AI 的核心是加速運算,而這種運算則受益於具有高頻寬及能源效率的 HBM。我們與美光在廣泛產品領域的合作已行之有年,也渴望能在第二代 HBM3 上持續合作,以推動 AI 創新。」

美光運用其全球工程組織開發這項突破性的產品,包含於美國進行設計和製程研發、於日本進行記憶體製造,及於台灣進行先進封裝。繼採用 1α 製程節點 24Gb 單體式 DRAM 晶粒的 96GB DDR5 模組問世,以支援高容量需求的伺服器解決方案後,美光今日又宣布推出基於 1β 製程節點 24Gb 晶粒的 24Gb HBM3 產品,為美光業界技術領先地位立下新的里程碑。美光也計劃於 2024 上半年推出採用 1β 製程節點 32Gb 單體式 DRAM 晶粒的 128GB DDR5 模組。這些產品展示了美光在 AI 伺服器領域的領先技術創新。


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資源

HBM3 產品頁面
Six Five Insider Podcast 節目採訪美光產品管理資深總監 Girish Cherussery
 
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