這次來發問除了測試出來的結果沒有差異外還有一點,壓制不住4.8G燒機,1.44V時隨隨便便就可以跑到91度上限。 但是又有看到類似電壓跑5G、散熱器用更低階的卻壓制的了的狀況... 因為你裝在殼內,本來MOS溫度就會壓不住,R4E這張MOS溫度本來就會很高,除非你MOS的部分正反面都掛風扇去吹 再來之前的文章我看很少是燒AVX版本的,加上5G的裸測的或是上水冷的居多 以你的平台來看,要比較出兩款散熱的差別的話就用相同掛法的風扇掛上去試試了 不過我想也不會差到很明顯啦