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Samsung宣佈推出全球最快-1ns GDDR3 512Mbit記憶體顆粒,其採用90奈米制程其時脈可高達 2GHz,是現時GDDR3速度最快的速度,採用-1ns GDDR3顆粒其頻寬可高達8GB/s,將比現時-1.6ns顆速快70%,相信將會用於下代高速繪圖顯示卡及遊戲機之中。同一時間Samsung亦表示將會正式量產-1.2ns GDDR3 512Mbit記憶體顆粒,其頻寬可達6.4GB.s,而且符合JEDCE的136-Ball Package規格。Samsung同時亦透露將會推出更高速的GDDR1及GDDR2顆粒,其速度可高達-2ns,令中低階顯示卡的記憶體時脈水平進一步提高。
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