台積32奈米測試晶片誕生  最快2009年量產 與Intel、三星、IBM國際大廠同台競技

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台積32奈米測試晶片誕生  最快2009年量產
IEDM大放異彩 與Intel、三星、IBM國際大廠同台競技

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宋丁儀/台北 2007/12/12


 台積電技術再度邁進一大步,將於11日位在美國華盛頓特區舉辦的國際電子元件大會(IEDM)中發表論文,宣布其第1顆32奈米製程測試晶片已正式通過內部功能驗證,未來將可同時支援單晶片中數位、類比電路。外界預料,以台積電每2年發展1個製程世代的進程估算,32奈米製程晶片已具雛形,最快可在2009年實現量產。


IEDM與ISSCC、VLSI是3個國際級半導體元件年度技術論文的發表大會,每年幾乎各知名學術機構、半導體業者皆以其最新、最先進半導體設計與技術參與發表論文,從中也可一窺未來半導體產業先端技術、市場發展端倪。而2007年台灣業者以台積電踴躍參加發表數篇論文參與度最為積極,其中包括45奈米製程SRAM測試晶片的發表,及其45奈米製程採高介電係數材料及金屬閘極為材質生產繪圖晶片(GPU)的論文,更值得注意的是,台積電已跨入32奈米低功耗製程技術。


台積電表示,這是晶圓代工製造服務領域第1個同時支援類比及數位積體電路的32奈米製程技術。此篇論文中同時指出,已成功試產出電晶體位元單元尺寸最小的2Mb 32奈米SRAM,並且通過內部功能驗證。 此一低耗電製程晶片具有低待機耗電量電晶體、類比及射頻功能、銅導線以及低介電係數材料導線等優勢,非常適合用於生產可攜式產品所需的系統單晶片。



外界預料,以台積電2007年進入45奈米製程量產時程估算,32奈米製程最快將可望在2009年投入量產,並提供多樣的包括數位、類比、射頻以及高密度記憶體等製程光譜。值得注意的是,台積電這款32奈米製程晶片並沒有採用高介電係數材料及金屬閘極,換句話說,將比採用高介電係數材料及金屬閘極的業者更具成本競爭力。



除了台積電高度參與,董事長張忠謀親身赴會演講,國際級半導體大廠包括英特爾(Intel)、IBM及三星電子(Samsung Electronics)也不惶多讓,也藉由IEDM展現其技術實力。
英特爾方面,主要是著重於其45奈米及32奈米製程高溫下採用高介電係數材料及金屬閘極技術發表、及關於相變化記憶體和快閃記憶體技術;
IBM則著重45奈米與65奈米絕緣層上覆矽(SOI)超低漏電製程;
韓國三星則發表關於40奈米記憶體製程與先進半導體材料技術。