Kioxia（鎧俠）近日宣布，已開始提供採用第九代 BiCS FLASH 技術的 512Gb 三層式儲存單元（TLC）3D 快閃記憶體樣品，預計將於 2025 會計年度進入量產階段。該產品鎖定需要高效能與優異功耗表現的中低容量儲存應用，並計畫導入至企業級固態硬碟（SSD），尤其針對人工智慧（AI）系統中與 GPU 效率相關的使用場景。
Kioxia 表示，該公司目前正採行雙軸策略，持續開發新世代記憶體產品，以應對日益多樣化的應用需求，並提升產品投資效益：
本次釋出的 512Gb TLC 樣品採用 120 層堆疊架構，基礎源自第五代 BiCS FLASH 技術，並結合先進 CMOS 製程。與現行同容量產品相比，官方測試顯示其具備以下性能提升：
Kioxia 補充，這批樣品主要用於功能驗證，最終量產版本的規格可能有所不同。公司亦將持續強化與全球合作夥伴的關係，推進技術創新，以回應不同市場的應用需求。
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Kioxia 表示，該公司目前正採行雙軸策略，持續開發新世代記憶體產品，以應對日益多樣化的應用需求，並提升產品投資效益：
- 第九代 BiCS FLASH：透過 CBA（CMOS 直接接合至記憶體陣列）技術，整合既有儲存單元與新一代 CMOS 製程，以降低生產成本並提升效能。
- 第十代 BiCS FLASH：透過堆疊層數增加，滿足未來對更高容量與效能的市場需求。
本次釋出的 512Gb TLC 樣品採用 120 層堆疊架構，基礎源自第五代 BiCS FLASH 技術，並結合先進 CMOS 製程。與現行同容量產品相比，官方測試顯示其具備以下性能提升：
- 寫入效能提高約 61%
- 讀取效能提高約 12%
- 功耗效率改善：寫入階段節能 36%、讀取階段節能 27%
- 資料傳輸速度支援 Toggle DDR6.0 介面，達 3.6Gb/s
- 單位面積儲存密度增加約 8%
Kioxia 補充，這批樣品主要用於功能驗證，最終量產版本的規格可能有所不同。公司亦將持續強化與全球合作夥伴的關係，推進技術創新，以回應不同市場的應用需求。
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