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Intel 10nm製程引入新材料“鈷”, 電遷移性能提升1000倍

Intel 的10nm已經一拖再拖了,他曾經在2012年表示會在2015年推出第一款10nm製程產品,然而現在已經2017年年底了,都沒有見到採用10nm製程的產品上市,其實14nm已經拖夠久的了。



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最近有了新消息,據稱 Intel 的10nm製程中會使用到鈷這種金屬代替部分的銅,而其他半導體廠目前實用鈷這種材料的程度都沒有 Intel 這麼高,這使 Intel 的10nm製程有了更多的賣點,使用鈷新材料後會帶來更多好處,作為幾乎所有半導體公司的供應商的 Applied Materials 三年前曾說過鈷這種材料是互聯網15年來最大的變革,然而要把這種材料投入實用實在太耗時間了,太過昂貴而且也不是必須的。

不過 Globalfoundries 其實已經在 High-K Metal Gate 製程和銅製程上使用了鈷這種材料很多年了,只不過現在的14nm製程的技術是來源於三星的,不知道有沒有使用到鈷這種材料, AMD 現在的14nm處理器在頻率上明顯低於那些28nm製程的產品。

Intel 希望用10nm製程表現他依然是半導體行業的領先者,雖然說他現在在書面上的納米競賽已經輸了,然而 Intel 的14nm製程明顯是最好的,甚至要優於10nm LP和12nm LPP ,這也是為什麼 Intel 夠膽把自家的10nm與別家的7nm相提並論。

Intel 的10nm採用鈷代替銅作為下部互聯層可使電遷移性能提高1000倍,同時層間通孔電阻應該會減少一半,這必然會大大增加晶片的耐用性,另外 Intel 會把鈷用在數個不同的地方,包括觸點、M0和M1層的金屬,M2到M5層則是主要用銅不過表面用鈷覆蓋。

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那麼 Intel 的10nm到底什麼時候來呢?Intel 表示今年內會放出10nm製程的 Cannon Lake,然而今年就剩下十幾天了,其實 Intel 現在應該可以生產10nm的晶片了,然而良品率可能比較低,因為這10nm一下子加太新東西進去了,第一代10nm製程的 Cannon Lake 可能比較短命,第二代的 Ice Lake 明年下半年應該就會出來,Cannon Lake 可能會步入 Kaby Lake 短命的後塵。

來源:
http://www.expreview.com/58161.html
https://www.computerbase.de/2017-12/intel-10-nm-cobalt-interconnect/

金大帥

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如果說短命的話那咖啡湖也長不到哪...(似乎就像是6代但又更短命?)

成真的話那些組8代笑7代的是不是會被10代的笑呢?
 
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