隨著大型雲端服務商全力擴建 AI 基礎設施、推升高效能推論需求，高容量儲存裝置的需求持續飆升，下一代 NAND 發展再度成為焦點。不過，根據來源消息，三星電子的第九代（V9）高容量 NAND 進度不如預期，V9 QLC NAND 的大規模量產將至少延後到2026年上半年。
報導指出，Samsung V9 NAND 採280層設計，去年4月就開始初期量產，首批產品採TLC（Triple-Level Cell）結構，容量達到 1Tb。到了2024年9月，三星也開始量產更高容量的 V9 QLC NAND。
不過多方消息指出，初期的 V9 QLC 出現設計瑕疵，導致效能不穩，才會讓量產時程延誤。雖然三星在整體 NAND 市占仍居龍頭，但在 QLC 領域卻落後對手，目前旗艦 QLC 產品還停留在 V7 世代，V8 完全沒有推出 QLC 版本。
如果三星 V9 QLC 的量產再拖，恐怕會讓競爭對手有機可乘。SK hynix 在8月底宣布，已完成全球首款321層、容量達 2Tb 的 QLC NAND 開發，並正式開始量產。
這是業界首度突破300層的 QLC NAND。官方表示，傳輸速度較前一代翻倍，寫入效能提升 56%，讀取效能提升 18%，寫入功耗也降低超過 23%，對講求低功耗的 AI 資料中心來說競爭力更高。
另一方面，雖然三星今年2月曾發表超過400層的 V10 世代 1Tb TLC NAND，但並未公開確切量產時程；日本的 Kioxia 也在今年初展示了 V10 世代的332層 NAND，不過仍在開發中，還沒正式量產。
報導指出，Samsung V9 NAND 採280層設計，去年4月就開始初期量產，首批產品採TLC（Triple-Level Cell）結構，容量達到 1Tb。到了2024年9月，三星也開始量產更高容量的 V9 QLC NAND。
不過多方消息指出，初期的 V9 QLC 出現設計瑕疵，導致效能不穩，才會讓量產時程延誤。雖然三星在整體 NAND 市占仍居龍頭，但在 QLC 領域卻落後對手，目前旗艦 QLC 產品還停留在 V7 世代，V8 完全沒有推出 QLC 版本。
如果三星 V9 QLC 的量產再拖，恐怕會讓競爭對手有機可乘。SK hynix 在8月底宣布，已完成全球首款321層、容量達 2Tb 的 QLC NAND 開發，並正式開始量產。
這是業界首度突破300層的 QLC NAND。官方表示，傳輸速度較前一代翻倍，寫入效能提升 56%，讀取效能提升 18%，寫入功耗也降低超過 23%，對講求低功耗的 AI 資料中心來說競爭力更高。
另一方面，雖然三星今年2月曾發表超過400層的 V10 世代 1Tb TLC NAND，但並未公開確切量產時程；日本的 Kioxia 也在今年初展示了 V10 世代的332層 NAND，不過仍在開發中，還沒正式量產。
