Toshiba、WD 此前宣布四日市的新工廠竣工，並且早就開始生產 3D NAND 快閃記憶體，
現在雙方又公佈了其 3D NAND 的最新進展——64層堆棧的 BiCS 3D 快閃記憶體已經開始出樣，
比之前的48層堆棧更先進，預計2017年上半年正式量產。
作為 NAND 閃存的發明人，Toshiba 研發的 3D NAND 使用的是 BiCS 技術，
號稱在所有3D NAND 中 BiCS 技術的快閃記憶體中核心面積最低，也意味著成本更低。
目前量產的是48層堆棧，MLC 類型的核心容量128Gb，TLC 類型的容量可達256Gb。
Toshiba、WD 目前宣布的新一代 BiCS 是64層堆棧的，核心容量256Gb（32GB），
未來還會推出容量高達 512Gb 的產品。Toshiba 表示64層堆棧的 3D NAND 單位面積容量增加了40%，
每片晶圓所能生產的 NAND 容量也變大了，成本隨之降低。
Toshiba 的64層堆棧 3D NAND 目前已經開始出樣給客戶，
2016年底有可能看到部分零售產品，但真正規模量產還要等到2017年上半年。
來源：http://www.expreview.com/48494.html
現在雙方又公佈了其 3D NAND 的最新進展——64層堆棧的 BiCS 3D 快閃記憶體已經開始出樣，
比之前的48層堆棧更先進，預計2017年上半年正式量產。
作為 NAND 閃存的發明人，Toshiba 研發的 3D NAND 使用的是 BiCS 技術，
號稱在所有3D NAND 中 BiCS 技術的快閃記憶體中核心面積最低，也意味著成本更低。
目前量產的是48層堆棧，MLC 類型的核心容量128Gb，TLC 類型的容量可達256Gb。
Toshiba、WD 目前宣布的新一代 BiCS 是64層堆棧的，核心容量256Gb（32GB），
未來還會推出容量高達 512Gb 的產品。Toshiba 表示64層堆棧的 3D NAND 單位面積容量增加了40%，
每片晶圓所能生產的 NAND 容量也變大了，成本隨之降低。
Toshiba 的64層堆棧 3D NAND 目前已經開始出樣給客戶，
2016年底有可能看到部分零售產品，但真正規模量產還要等到2017年上半年。
來源：http://www.expreview.com/48494.html
