不久前ARM才宣佈與台積電完成首款以16nm FinFET製程技術優化64位元ARMv8處理器系列產品的消息,並且最快在今年內就成正式量產,目前台積電方面也透露將在2015年左右完成以EUV (波長較短的紫外線)為基礎原理的10nm製成技術,估計將以此加速超越過去摩爾定律所提出硬體進步速率。
根據EE Times網站報導指出,在目前與三星等廠商競爭下,台積電除了稍早與ARM宣佈將完成以16nm FinFET製程技術優化64位元ARMv8處理器系列產品,並且將在2013年底前開始量產的消息外,目前也透露將在2015年間左右跨入10nm製程技術,同時也說明將強化既有3D晶片堆疊製作技術,並且擴大現有28nm製程產量產能。
台積電創辦人暨執行長張忠謀於近期訪談時表示,估計在7-8年間將會加速從10nm製程跨入小至7nm製程技術的速度,藉此將再讓摩爾定律重新被定義。
另一方面,先前根據Intel所透露旗下產品製程發展藍圖,其中也透露將在2015年之後跨入10nm、7nm或5nm製程里程,在2013年間的產品製程將以14nm為主。
原文

根據EE Times網站報導指出,在目前與三星等廠商競爭下,台積電除了稍早與ARM宣佈將完成以16nm FinFET製程技術優化64位元ARMv8處理器系列產品,並且將在2013年底前開始量產的消息外,目前也透露將在2015年間左右跨入10nm製程技術,同時也說明將強化既有3D晶片堆疊製作技術,並且擴大現有28nm製程產量產能。
台積電創辦人暨執行長張忠謀於近期訪談時表示,估計在7-8年間將會加速從10nm製程跨入小至7nm製程技術的速度,藉此將再讓摩爾定律重新被定義。
另一方面,先前根據Intel所透露旗下產品製程發展藍圖,其中也透露將在2015年之後跨入10nm、7nm或5nm製程里程,在2013年間的產品製程將以14nm為主。

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