三星RRAM作存儲材料“實用化進程將出乎預料”
2005/01/12
【日經BP社報導】 韓國三星電子日前表示，對於“2004 IEDM”上發佈的RRAM（Resistive RAM），“實用化進程有可能突然加速”。RRAM是一種新型不揮發性記憶體，具有超越被譽為“新一代夢幻記憶體”MRAM（Magnetoresistive RAM）的潛力。
RRAM的存儲單元在施加脈衝電壓後電阻值會產生很大變化，這一電阻值在斷開電源後仍能維持下去。實現多值化的同時還能達到相當於NAND型快閃記憶體的單元尺寸和相當於SRAM的高速性能。三星此次公開的RRAM在存儲單元中使用的材料與夏普等開發的不同，是以NiO為基礎的。由於現有的矽化物材料等都使用Ni，所以對於半導體生產來說也並非新型材料。另外，在結構設計方面類似三星和美國英代爾等試製完成的PRAM（Phase Change RAM）。基於這幾點，在2004 IEDM上有不少研究均認為三星的RRAM儘早實現實用化並非難事。針對此次開發的情況，三星公司計畫在由“NIKKEI MICRODEVICES”主辦的“第3屆半導體存儲論壇”上發表50分鐘的演講。（記者：三宅 常之）
夏普社長：RRAM將成為下一代核心內存
2005/01/12
【日經BP社報道】 作為下一代非揮發性內存而備受關注的RRAM（電阻RAM）“將會成為下一代核心內存”。夏普社長町田勝彥在日本電子信息技術產業協會1月6月於東京舉辦的新年聯歡會上做出了上述表示。RRAM具有這樣的優勢：作為工作內存，其速度可與SRAM匹敵；作為存儲內存，能夠實現與NAND型閃存相抗衡的成本。
夏普曾因在2002年“IEDM（國際電子元器件會議）”上發表RRAM論文而受到業界關注，但此後卻始終沒有什麼動作，只是做過一次學術發表。該公司在內存業務方面，正在利用其擅長的SiP技術對NOR型和NAND型閃存和DRAM等多種內存進行超薄封裝。但除NOR型內存之外均從外部採購。因此，與所有品種的內存幾乎均可在內部採購的韓國三星電子相比，可以說在供貨與成本方面均處於劣勢。如能儘快推出新的內存技術，就有可能打破這種局面。
但是，三星在2004年12月舉辦的“IEDM”會議上已經就使用不同材料的RRAM進行了技術發表。作為夏普來說，儘管町田社長一直認為“RRAM技術仍為時尚早”，但眾多業內人士則認為三星的RRAM“有可能出人意料地很快投產”（出席三星技術演講的眾多研究人員）。其依據，一是因為三星“使用的是在現有半導體生產中採用的普通材料”（在IEDM會議上出席三星技術演講的眾多研究人員），二是與三星已經完成64Mbit產品開發的“PRAM（OUM）結構類似”（讀過該論文的研究人員）。對於人們最初完全不了解其工作機理的記憶元件的CER效應，作為諾貝爾獎候選人之一的東京大學教授十倉好紀所領導的日本產業技術綜合研究所的一個研究小組，目前正在加緊研究。研究成果將在《日經微器件》雜誌主辦的“日本第3屆半導體內存研討會”上予以公佈（詳情見http://techon.nikkeibp.co.jp/seminar/）。閃存和DRAM內存領域應用的內存技術恐怕早晚都將迎來一個重要的轉捩點。（記者：三宅 常之）
關於RRAM的延伸嬝?
http://www.eedesign.com.tw/article/document/dc964.htm
這是好東西啊...(你能想像WindowsXP外加一堆外掛在5秒內完成啟動嗎?)
:SSS:
但是怎麼是三星占得頭籌啊... :QQQ:
2005/01/12
【日經BP社報導】 韓國三星電子日前表示，對於“2004 IEDM”上發佈的RRAM（Resistive RAM），“實用化進程有可能突然加速”。RRAM是一種新型不揮發性記憶體，具有超越被譽為“新一代夢幻記憶體”MRAM（Magnetoresistive RAM）的潛力。
RRAM的存儲單元在施加脈衝電壓後電阻值會產生很大變化，這一電阻值在斷開電源後仍能維持下去。實現多值化的同時還能達到相當於NAND型快閃記憶體的單元尺寸和相當於SRAM的高速性能。三星此次公開的RRAM在存儲單元中使用的材料與夏普等開發的不同，是以NiO為基礎的。由於現有的矽化物材料等都使用Ni，所以對於半導體生產來說也並非新型材料。另外，在結構設計方面類似三星和美國英代爾等試製完成的PRAM（Phase Change RAM）。基於這幾點，在2004 IEDM上有不少研究均認為三星的RRAM儘早實現實用化並非難事。針對此次開發的情況，三星公司計畫在由“NIKKEI MICRODEVICES”主辦的“第3屆半導體存儲論壇”上發表50分鐘的演講。（記者：三宅 常之）
夏普社長：RRAM將成為下一代核心內存
2005/01/12
【日經BP社報道】 作為下一代非揮發性內存而備受關注的RRAM（電阻RAM）“將會成為下一代核心內存”。夏普社長町田勝彥在日本電子信息技術產業協會1月6月於東京舉辦的新年聯歡會上做出了上述表示。RRAM具有這樣的優勢：作為工作內存，其速度可與SRAM匹敵；作為存儲內存，能夠實現與NAND型閃存相抗衡的成本。
夏普曾因在2002年“IEDM（國際電子元器件會議）”上發表RRAM論文而受到業界關注，但此後卻始終沒有什麼動作，只是做過一次學術發表。該公司在內存業務方面，正在利用其擅長的SiP技術對NOR型和NAND型閃存和DRAM等多種內存進行超薄封裝。但除NOR型內存之外均從外部採購。因此，與所有品種的內存幾乎均可在內部採購的韓國三星電子相比，可以說在供貨與成本方面均處於劣勢。如能儘快推出新的內存技術，就有可能打破這種局面。
但是，三星在2004年12月舉辦的“IEDM”會議上已經就使用不同材料的RRAM進行了技術發表。作為夏普來說，儘管町田社長一直認為“RRAM技術仍為時尚早”，但眾多業內人士則認為三星的RRAM“有可能出人意料地很快投產”（出席三星技術演講的眾多研究人員）。其依據，一是因為三星“使用的是在現有半導體生產中採用的普通材料”（在IEDM會議上出席三星技術演講的眾多研究人員），二是與三星已經完成64Mbit產品開發的“PRAM（OUM）結構類似”（讀過該論文的研究人員）。對於人們最初完全不了解其工作機理的記憶元件的CER效應，作為諾貝爾獎候選人之一的東京大學教授十倉好紀所領導的日本產業技術綜合研究所的一個研究小組，目前正在加緊研究。研究成果將在《日經微器件》雜誌主辦的“日本第3屆半導體內存研討會”上予以公佈（詳情見http://techon.nikkeibp.co.jp/seminar/）。閃存和DRAM內存領域應用的內存技術恐怕早晚都將迎來一個重要的轉捩點。（記者：三宅 常之）
關於RRAM的延伸嬝?
http://www.eedesign.com.tw/article/document/dc964.htm
這是好東西啊...(你能想像WindowsXP外加一堆外掛在5秒內完成啟動嗎?)
:SSS:
但是怎麼是三星占得頭籌啊... :QQQ: